[發明專利]一種能夠規范界面納米顆粒的過渡層表面改性方法有效
| 申請號： | 201410010106.X | 申請日： | 2014-01-09 |
| 公開（公告）號： | CN103755380A | 公開（公告）日： | 2014-04-30 |
| 發明（設計）人： | 索紅莉;徐燕;劉敏;任程;儀寧;田輝;王毅;馬麟 | 申請（專利權）人： | 北京工業大學 |
| 主分類號： | C04B41/50 | 分類號： | C04B41/50 |
| 代理公司： | 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203 | 代理人： | 張慧 |
| 地址： | 100124 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 能夠 規范 界面 納米 顆粒 過渡 表面 改性 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種能夠規范界面納米顆粒的過渡層表面改性方法，其特征在于，包括步驟如下：
1）單晶基板的預處理：用納米壓痕儀在（001）-LaAlO3(LA0)單晶表面劃滿一定數量的劃痕，其中壓痕力度為0.1mN～1mN,間隔500nm～1μm；或者將(001)-LAO偏離標準（001）一定角度進行切割，使沉積表面為非標準（001）面，其中偏離標準（001）角度不大于40°；
2）制備前驅液：將待沉積的金屬納米顆粒的乙酰丙酮金屬鹽按照化學計量比溶解到正丙酸中，得到陽離子摩爾濃度為0.001-0.03mol/L的前驅液；
3）涂敷前驅液：將步驟2）制備的前驅液采用旋涂的方式涂敷到步驟1）制備的單晶基板上，旋轉涂敷的轉數為1000-6000rpm，旋涂時間為20-200s，得到前驅膜；
4）高溫燒結：在通Ar氣或Ar與H2的混合氣條件下，將前驅膜于800～1300℃燒結10～1000分鐘，得到孤立的、密度和尺寸受臺階流或劃痕控制的納米點。
2.按照權利要求1的方法得到的納米顆粒的形態受臺階流或劃痕調控的過渡層表面，在納米顆粒數目與臺階數目或劃痕數目幾乎相同，納米顆粒尺寸與臺階流寬度相當；納米顆粒無團聚，完全被臺階流或劃痕孤立開。
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