[發(fā)明專利]發(fā)光器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410008297.6
• 申請日: 2014-01-08
• 公開（公告）號: CN103928584A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 丁煥熙
• 申請（專利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/20;H01L33/32;H01L33/48
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;吳鵬章

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實施方案涉及發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝件以及發(fā)光單元。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管(LED)已經(jīng)廣泛用作發(fā)光器件之一。LED通過利用化合物半導(dǎo)體的特性將電信號轉(zhuǎn)換成例如紅外光、可見光以及紫外光的光的形式。

隨著發(fā)光器件的發(fā)光效率增加，發(fā)光器件已經(jīng)用在例如顯示裝置和照明設(shè)備的各種領(lǐng)域中。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施方案提供了能夠提高光提取效率和產(chǎn)品產(chǎn)率的發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝件以及發(fā)光單元。

根據(jù)實施方案的發(fā)光器件包括：包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層之下的有源層、以及布置在有源層之下的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的發(fā)光結(jié)構(gòu)；布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)之下并且電連接到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第一電極；布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)之下并且電連接到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第二電極；以及布置為穿過發(fā)光結(jié)構(gòu)并且包括電連接到第一電極的第一區(qū)域和與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的頂表面接觸的第二區(qū)域的第一接觸部分。

根據(jù)實施方案的發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝件以及發(fā)光單元可以提高光提取效率和產(chǎn)品產(chǎn)率。

附圖說明

圖1為示出根據(jù)實施方案的發(fā)光器件的圖。

圖2為示出形成在圖1中所示的發(fā)光器件的發(fā)光結(jié)構(gòu)中的通孔的實施例的圖。

圖3至圖6為示出根據(jù)實施方案的制造發(fā)光器件的方法的截面圖。

圖7為示出根據(jù)另一實施方案的發(fā)光器件的截面圖。

圖8為示出根據(jù)又一實施方案的發(fā)光器件的截面圖。

圖9為示出圖8所示的發(fā)光器件的第一接觸部分的布置的圖。

圖10至圖13為示出根據(jù)實施方案的制造發(fā)光器件的方法的截面圖。

圖14為示出根據(jù)另一實施方案的發(fā)光器件的截面圖。

圖15為示出根據(jù)實施方案的發(fā)光器件封裝件的截面圖。

圖16為示出根據(jù)實施方案的顯示裝置的分解透視圖。

圖17為示出根據(jù)實施方案的顯示裝置的另一實施例的截面圖。

圖18為示出根據(jù)實施方案的發(fā)光單元的分解透視圖。

具體實施方式

在實施方案的描述中，應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)層(或膜)、區(qū)域、圖案或結(jié)構(gòu)稱作在另一襯底、另一層(或膜)、另一區(qū)域、另一焊墊或者另一圖案“上”或“下”時，其可以“直接地”或“間接地”在其他襯底、層(或膜)、區(qū)域、焊墊或者圖案之上，或者也可以存在一個或更多個插入層。參照附圖來描述層的這樣的位置。

在下文中，將參照附圖來詳細(xì)地描述根據(jù)實施方案的發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝件、發(fā)光單元以及用于制造發(fā)光器件的方法。

圖1為示出根據(jù)一個實施方案的發(fā)光器件的圖，并且圖2為示出形成在圖1中所示的發(fā)光器件的發(fā)光結(jié)構(gòu)中的通孔的實施例的圖。

如圖1和圖2所示，根據(jù)實施方案的發(fā)光器件可以包括發(fā)光結(jié)構(gòu)10、第一電極81、第二電極82以及第一接觸部分91。

發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11、有源層12以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。有源層12可以置于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13之間。有源層12可以設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11之下，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以設(shè)置在有源層12之下。

第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括摻雜有用作第一導(dǎo)電摻雜劑的N型摻雜劑的N型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包括摻雜有用作第二導(dǎo)電摻雜劑的P型摻雜劑的P型半導(dǎo)體層。另外，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括P型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包括N型半導(dǎo)體層。

例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括N型半導(dǎo)體層。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以通過使用化合物半導(dǎo)體來實現(xiàn)。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以通過使用第II-VI族化合物半導(dǎo)體、或者第III-V族化合物半導(dǎo)體來實現(xiàn)。

例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以通過使用具有In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的組成式的半導(dǎo)體材料來實現(xiàn)。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括選自摻雜有例如Si、Ge、Sn、Se以及Te的N型摻雜劑的GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP中的一種。