[發明專利]一種鋁刻蝕方法

在審

• 申請號: 201410006772.6
• 申請日: 2014-01-07
• 公開（公告）號: CN104766797A
• 公開（公告）日: 2015-07-08
• 發明（設計）人: 李方華;陳定平
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

1.一種鋁刻蝕方法，其特征在于，包括：

在硅片上形成鋁金屬層；

在所述鋁金屬層上形成一圖案化的光刻膠掩膜；

將具有光刻膠掩膜的所述硅片置入一腔體內與第一氣體的等離子體進行反應，對鋁金屬層進行刻蝕；

在所述腔體內通入第二氣體，讓所述硅片上的光刻膠掩膜與所述第二氣體的等離子體進行反應，去除光刻膠掩膜。

2.根據權利要求1所述的鋁刻蝕方法，其特征在于，在硅片上形成鋁金屬層的步驟包括：

在硅片上形成一介質層；

在所述介質層上形成所述鋁金屬層。

3.根據權利要求2所述的鋁刻蝕方法，其特征在于，在鋁金屬層上形成一圖案化的光刻膠掩膜的步驟包括：

在鋁金屬層上形成光刻膠層；

對所述光刻膠層進行曝光及顯影，得到圖案化的所述光刻膠掩膜。

4.根據權利要求1所述的鋁刻蝕方法，其特征在于，將具有光刻膠掩膜的所述硅片置入一腔體內與第一氣體的等離子體進行反應，對鋁金屬層進行刻蝕的步驟包括：

將所述硅片置入應用材料8330主腔體內；

在所述8330主腔體內通入設定流量的第一氣體；

電離所述第一氣體，使得生成的第一氣體的等離子體與所述硅片上的鋁金屬層以及所述鋁金屬層上的光刻膠掩膜發生反應；

將反應生成的揮發性氣體抽走，從而完成對鋁金屬層的刻蝕。

5.根據權利要求4所述的鋁刻蝕方法，其特征在于，所述第一氣體為含CL以及含C的氣體。

6.根據權利要求5所述的鋁刻蝕方法，其特征在于，所述第一氣體包括CL₂、BCL₃、CF₄和CHF₃。

7.根據權利要求6所述的鋁刻蝕方法，其特征在于，對鋁金屬層進行刻蝕時，采用的刻蝕壓力為15至30毫托，刻蝕偏壓為-180V至300V，CL₂的流量為14至25毫升/分鐘，BCL₃的流量為125至165毫升/分鐘，CHF₃的流量為10至25毫升/分鐘，刻蝕速率小于或者等于35納米/分鐘。

8.根據權利要求1所述的鋁刻蝕方法，其特征在于，在所述腔體內通入第二氣體，讓所述硅片上的光刻膠掩膜與所述第二氣體的等離子體進行反應，去除光刻膠的步驟包括：

在所述腔體內通入第二氣體；

電離所述第二氣體，使得生成第二氣體的等離子體與所述光刻膠掩膜反應，將光刻膠掩膜去除。

9.根據權利要求8所述的鋁刻蝕方法，其特征在于，所述第二氣體為O₂。

10.根據權利要求9所述的鋁刻蝕方法，其特征在于，去除光刻膠掩膜時，O₂的流量為200至500毫升/分鐘，功率為1000至1800W，壓力為100至150毫托。

11.根據權利要求1至10任一項所述的鋁刻蝕方法，其特征在于，去除光刻膠掩膜后還包括：

將完成去除光刻膠掩膜的具有所述鋁金屬層的所述硅片從所述腔體中取出，并進行去除聚合物的清洗。