[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其操作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410003652.0 | 申請(qǐng)日: | 2014-01-03 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104240749B | 公開(公告)日: | 2018-05-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 樸成濟(jì) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號(hào): | G11C7/22 | 分類號(hào): | G11C7/22 |
| 代理公司: | 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11363 | 代理人: | 俞波,周曉雨 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 及其 操作方法 | ||
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求2013年6月21日提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2013-0071660的韓國專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán),其全部內(nèi)容通過引用合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例涉及電子器件,且更具體而言涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件是利用由例如硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)或磷化銦(InP)制成的半導(dǎo)體來實(shí)現(xiàn)的存儲(chǔ)器件。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以分類為易失性存儲(chǔ)器件和非易失性存儲(chǔ)器件。
易失性存儲(chǔ)器件在電源切斷時(shí)不能保持儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器件的例子可以包括靜態(tài)RAM(SRAM)、動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)和同步DRAM(SDRAM)。非易失性存儲(chǔ)器件不管電源開/關(guān)條件如何都可以保持儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)。非易失性存儲(chǔ)器件的例子包括只讀存儲(chǔ)器(ROM)、屏蔽式ROM(MROM)、可編程ROM(PROM)、可擦除可編程ROM(EPROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)、快閃存儲(chǔ)器、相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、阻變RAM(RRAM)、以及鐵電RAM(FRAM)。快閃存儲(chǔ)器可以分類為NOR型存儲(chǔ)器和NAND型存儲(chǔ)器。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及具有改善的速度的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件、操作所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法、具有所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)系統(tǒng)、以及具有所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的計(jì)算系統(tǒng)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例,一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以包括:存儲(chǔ)器單元;頁緩沖器,所述頁緩沖器包括第一開關(guān)器件和第二開關(guān)器件以及第一感測鎖存單元和第二感測鎖存單元,所述第一開關(guān)器件和所述第二開關(guān)器件共同耦接到經(jīng)由位線與所述存儲(chǔ)器單元耦接的感測節(jié)點(diǎn),所述第一感測鎖存單元和所述第二感測鎖存單元分別經(jīng)由所述第一開關(guān)器件和所述第二開關(guān)器件與所述感測節(jié)點(diǎn)耦接;以及控制邏輯,所述控制邏輯適用于在驗(yàn)證操作期間當(dāng)所述存儲(chǔ)器單元的閾值電壓經(jīng)由所述位線反映在所述感測節(jié)點(diǎn)上時(shí),分別將第一感測信號(hào)和第二感測信號(hào)傳送至所述第一開關(guān)器件和所述第二開關(guān)器件。所述第一開關(guān)器件和所述第二開關(guān)器件分別響應(yīng)于所述第一感測信號(hào)和所述第二感測信號(hào)而導(dǎo)通或關(guān)斷,以及由所述第一感測鎖存單元和所述第二感測鎖存單元來感測數(shù)據(jù)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例,一種操作半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法可以包括以下步驟:對(duì)與存儲(chǔ)器單元耦接的位線預(yù)充電;將所述存儲(chǔ)器單元的閾值電壓反映在所述位線上;以及當(dāng)所述位線的電壓被傳送至感測節(jié)點(diǎn)時(shí),將多個(gè)感測信號(hào)傳送至耦接在所述感測節(jié)點(diǎn)與感測鎖存單元之間的多個(gè)開關(guān)器件。所述多個(gè)開關(guān)器件響應(yīng)于所述多個(gè)感測信號(hào)而分別導(dǎo)通或關(guān)斷,以及將數(shù)據(jù)傳送至所述感測鎖存單元。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例,一種存儲(chǔ)系統(tǒng)可以包括:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件;以及控制器,所述控制器適用于控制所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件,其中所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以包括:存儲(chǔ)器單元;頁緩沖器,所述頁緩沖器包括第一開關(guān)器件和第二開關(guān)器件以及第一感測鎖存單元和第二感測鎖存單元,所述第一開關(guān)器件和所述第二開關(guān)器件共同耦接到經(jīng)由位線與所述存儲(chǔ)器單元耦接的感測節(jié)點(diǎn),所述第一感測鎖存單元和所述第二感測鎖存單元分別經(jīng)由所述第一開關(guān)器件和所述第二開關(guān)器件與所述感測節(jié)點(diǎn)耦接;以及控制邏輯,所述控制邏輯適用于在驗(yàn)證操作期間當(dāng)所述存儲(chǔ)器單元的閾值電壓經(jīng)由所述位線反映在所述感測節(jié)點(diǎn)上時(shí),分別將第一感測信號(hào)和第二感測信號(hào)傳送至所述第一開關(guān)器件和所述第二開關(guān)器件。所述第一開關(guān)器件和所述第二開關(guān)器件分別響應(yīng)于所述第一感測信號(hào)和所述第二感測信號(hào)而導(dǎo)通或關(guān)斷,以及由所述第一感測鎖存單元和所述第二感測鎖存單元來鎖存數(shù)據(jù)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例,一種計(jì)算系統(tǒng)可以包括:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件,其中所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括:存儲(chǔ)器單元;頁緩沖器,所述頁緩沖器包括第一開關(guān)器件和第二開關(guān)器件以及第一感測鎖存單元和第二感測鎖存單元,所述第一開關(guān)器件和所述第二開關(guān)器件共同耦接到經(jīng)由位線與所述存儲(chǔ)器單元耦接的感測節(jié)點(diǎn),所述第一感測鎖存單元和所述第二感測鎖存單元分別經(jīng)由所述第一開關(guān)器件和所述第二開關(guān)器件與所述感測節(jié)點(diǎn)耦接;以及控制邏輯,所述控制邏輯適用于在驗(yàn)證操作期間當(dāng)所述存儲(chǔ)器單元的閾值電壓經(jīng)由所述位線反映在所述感測節(jié)點(diǎn)上時(shí),分別將第一感測信號(hào)和第二感測信號(hào)傳送至所述第一開關(guān)器件和所述第二開關(guān)器件,其中所述第一開關(guān)器件和所述第二開關(guān)器件分別響應(yīng)于所述第一感測信號(hào)和所述第二感測信號(hào)而導(dǎo)通或關(guān)斷,以及由所述第一感測鎖存單元和所述第二感測鎖存單元來鎖存數(shù)據(jù)。
附圖說明
圖1是說明半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的框圖。
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