[發(fā)明專利]不平行島蝕刻在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380080641.6 | 申請日： | 2013-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN105682780A | 公開（公告）日： | 2016-06-15 |
| 發(fā)明（設計）人： | 羅格·A·麥凱;帕特里克·W·薩迪克 | 申請（專利權(quán)）人： | 惠普發(fā)展公司;有限責任合伙企業(yè) |
| 主分類號： | B01D69/00 | 分類號： | B01D69/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人： | 宋穎娉;康泉 |
| 地址： | 美國德*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 平行 蝕刻 | ||
1.一種方法，包括：
在襯底的第一面和所述襯底的與所述第一面不平行的第二面上形成蝕刻島；以及
將所述襯底的所述第一面和所述第二面同時暴露至與所述蝕刻島反應的溶液，以同時 形成延伸到所述第一面和所述第二面內(nèi)的多孔區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括：
在與所述第一面不平行且與所述第二面不平行的第三面上形成蝕刻島；以及
將所述襯底的所述第一面、所述第二面和所述第三面同時暴露至與所述蝕刻島反應的 所述溶液，以同時形成延伸到所述第一面、所述第二面和所述第三面內(nèi)的多孔區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括去除所述多孔區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多孔區(qū)域包括互連孔隙。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，包括將延伸到所述第一面內(nèi)的多孔區(qū)域與延伸到所述 第二面內(nèi)的多孔區(qū)域互連，以形成穿過所述襯底的過濾通道。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成在所述第一面上的蝕刻島在被暴露至所述溶 液時具有第一蝕刻速率，并且其中形成在所述第二面上的蝕刻島在被暴露至所述溶液時具 有與所述第一蝕刻速率不同的第二蝕刻速率。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括：在所述襯底內(nèi)形成蝕刻控制器，所述蝕刻 控制器用于在與所述襯底內(nèi)的所述蝕刻島相互作用時調(diào)節(jié)所述蝕刻島的蝕刻速率。
8.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述蝕刻控制器包括蝕刻阻滯劑。
9.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中在所述襯底內(nèi)形成蝕刻控制器包括：對所述襯底 進行摻雜。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包括將所述襯底沉入所述溶液內(nèi)。
11.一種方法，包括：
在襯底上形成導電金屬的蝕刻島；
將所述襯底暴露至與所述蝕刻島反應的溶液，以使所述蝕刻島蝕刻進所述襯底內(nèi)，以 在所述襯底中形成掩埋金屬化區(qū)域；以及
封裝所述掩埋金屬化區(qū)域。
12.一種裝置，包括：
襯底；
從所述襯底的第一面延伸進所述襯底內(nèi)的孔隙的第一區(qū)域；
從所述襯底的與所述第一面不平行的第二面延伸進所述襯底內(nèi)的孔隙的第二區(qū)域；
位于所述孔隙的第一區(qū)域和第二區(qū)域內(nèi)的金屬島。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其中所述金屬島被封裝在所述第一區(qū)域和所述第二 區(qū)域內(nèi)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，進一步包括從所述襯底的與所述第一面不平行且與 所述第二面不平行的第三面延伸進所述襯底內(nèi)的孔隙的第三區(qū)域。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其中所述孔隙的第一區(qū)域延伸進所述第一面內(nèi)至第 一深度，并且其中所述孔隙的第二區(qū)域延伸進所述第二面內(nèi)至不同于所述第一深度的第二 深度。
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