[發明專利]用于FINFET架構的用固態擴散源摻雜的隔離阱

有效

• 申請號: 201380079126.6
• 申請日: 2013-09-25
• 公開（公告）號: CN105493253B
• 公開（公告）日: 2019-11-29
• 發明（設計）人: W·M·哈菲茲;C-H·簡;J-Y·D·葉;張旭佑;N·迪亞斯;C·穆納辛哈
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 72002 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 陳松濤;王英<國際申請>=PCT/US2

1.一種集成微電子器件，包括：

襯底；

第一晶體管，其包括從所述襯底延伸出來的非平面半導體鰭狀物，所述非平面半導體鰭狀物具有設置在所述非平面半導體鰭狀物的有源區與所述襯底之間的子鰭狀物區，其中，所述子鰭狀物區還包括接近所述襯底的下層子鰭狀物區和接近所述有源區的上層子鰭狀物區；

第一雜質源膜，其被設置為與所述下層子鰭狀物區的側壁表面相鄰，并且所述上層子鰭狀物區不存在所述第一雜質源膜，其中，所述第一雜質源膜包括存在于所述下層子鰭狀物區中的雜質；以及

柵極疊置體，其被設置為與所述有源區的側壁表面相鄰。

2.根據權利要求1所述的集成微電子器件，還包括設置在所述第一雜質源膜之上并且與所述上層子鰭狀物區的側壁表面相鄰的電介質，其中，隔離電介質大體上沒有存在于所述第一雜質源膜中的所述雜質。

3.根據權利要求1所述的集成微電子器件，還包括：

第二雜質源膜，其包括第二雜質并且設置在所述第一雜質源膜之上并且與所述上層子鰭狀物區的側壁表面相鄰，其中，所述上層子鰭狀物區被摻雜有所述第二雜質以具有與所述下層子鰭狀物區的導電類型互補的導電類型。

4.根據權利要求1所述的集成微電子器件，還包括：

第二雜質源膜，其包括第二雜質并且設置在所述第一雜質源膜之上并且與所述上層子鰭狀物區的側壁表面相鄰，其中，所述上層子鰭狀物區被摻雜有所述第二雜質以具有與所述下層子鰭狀物區的導電類型互補的導電類型；以及

第二晶體管，其包括從所述襯底延伸出來的第二非平面半導體鰭狀物，所述第二非平面半導體鰭狀物具有設置在所述第二非平面半導體鰭狀物的第二有源區與所述襯底之間的第二子鰭狀物區，其中，所述第二子鰭狀物區還包括接近所述襯底的第二下層子鰭狀物區和接近所述第二有源區的第二上層子鰭狀物區，其中，所述第一雜質源膜還被設置為與所述第二下層子鰭狀物區的側壁表面相鄰，并且所述第二上層子鰭狀物區不存在所述第一雜質源膜，并且隔離電介質設置在所述第一雜質源膜之上并且與所述第二上層子鰭狀物區的側壁表面相鄰，其中，所沉積的所述隔離電介質大體上沒有存在于所述第一雜質源膜或所述第二雜質源膜中的雜質。

5.根據權利要求1-4中的任一項所述的集成微電子器件，其中，所述下層子鰭狀物區具有與所述上層子鰭狀物區的雜質摻雜不同的雜質摻雜，并且其中，所述第一雜質源膜包括所述下層子鰭狀物區的所述雜質。

6.根據權利要求1-4中的任一項所述的集成微電子器件，其中，所述下層子鰭狀物區被摻雜有所述雜質以具有與所述襯底的導電類型互補的導電類型。

7.根據權利要求1-4中的任一項所述的集成微電子器件，其中，所述上層子鰭狀物區具有與所述下層子鰭狀物區和所述有源區兩者都不同的雜質摻雜。

8.根據權利要求1-4中的任一項所述的集成微電子器件，其中，所述上層子鰭狀物區具有與所述下層子鰭狀物區互補的雜質摻雜。

9.根據權利要求1-4中的任一項所述的集成微電子器件，其中：

所述非平面半導體鰭狀物具有小于20nm的橫向寬度，所述非平面半導體鰭狀物從所述襯底向上延伸20-150nm；

所述第一雜質源膜包括具有介于1nm與7nm之間的厚度的硅酸鹽玻璃膜；以及

所述下層子鰭狀物區具有介于10¹⁷cm^-3與10¹⁹cm^-3之間的摻雜劑濃度。