[發明專利]具有用于III-N外延的Si（100）晶片上的Si（111）平面的納米結構和納米特征

在審

• 申請號: 201380077010.9
• 申請日: 2013-06-28
• 公開（公告）號: CN105531797A
• 公開（公告）日: 2016-04-27
• 發明（設計）人: S·達斯古普塔;鄧漢威;S·K·加德納;本杰明·丘康;M·拉多薩維耶維奇;成承訓;R·S·周
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;H01L21/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;傅康

1.一種制造電子器件的方法，包括：

修改沿著第一晶體取向對準的襯底上的絕緣層上方的鰭部，以形成沿著第二晶體取向對準的表面；以及

在所述鰭部的沿著所述第二晶體取向對準的所述表面上方沉積器件層。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述鰭部與所述器件層之間沉積成核層。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，修改所述鰭部包括：

蝕刻所述鰭部以暴露沿著所述第二晶體取向對準的所述表面。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，修改所述鰭部包括：

對所述鰭部進行退火以形成沿著所述第二晶體取向對準的所述表面。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述襯底包括硅，并且所述器件層包括III-V材料。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述器件層上沉積極化感應層以提供二維電子氣。

7.根據權利要求1所述的方法，還包括：

通過掩模蝕刻所述襯底以形成所述鰭部；以及

在所述襯底上沉積所述絕緣層。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一晶體取向是<100>晶體取向，并且所述第二晶體取向是<111>晶體取向。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，所述器件層的厚度從1納米至40納米。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一鰭部的寬度小于所述第一鰭部的高度。

11.一種電子器件，包括：

沿著第一晶體取向對準的襯底上的絕緣層上方的鰭部，所述鰭部具有沿著第二晶體取向對準的第一表面；以及

沉積在所述鰭部的沿著所述第二晶體取向對準的所述第一表面上方的器件層。

12.根據權利要求11所述的電子器件，還包括：

在所述鰭部與所述器件層之間的成核層。

13.根據權利要求11所述的電子器件，還包括在所述器件層上的極化感應層，用以提供二維電子氣。

14.根據權利要求11所述的電子器件，其中，所述鰭部具有沿著第二晶體取向對準的與所述第一表面鄰近的第二表面。

15.根據權利要求11所述的電子器件，其中，所述鰭部具有三角形形狀。

16.根據權利要求11所述的電子器件，其中，所述鰭部具有V形狀。

17.根據權利要求11所述的電子器件，其中，所述鰭部具有M形狀。

18.根據權利要求11所述的電子器件，其中，所述襯底包括硅；并且所述器件層包括III-V材料。

19.根據權利要求11所述的電子器件，其中，所述第一晶體取向是<100>晶體取向，并且所述第二晶體取向是<111>晶體取向。

20.根據權利要求11所述的電子器件，其中，所述器件層的厚度從1納米到40納米。