[發明專利]無缺陷單晶薄層

在審

• 申請號: 201380074672.0
• 申請日: 2013-03-14
• 公開（公告）號: CN105283946A
• 公開（公告）日: 2016-01-27
• 發明（設計）人: B.S.烏伊;R.T.埃爾阿范迪
• 申請（專利權）人: 阿卜杜拉國王科技大學
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種制備III-V族半導體膜的方法，包括：

輻照包括該III-V族半導體的襯底的表面；以及

在輻照的同時用含有蝕刻液的溶液接觸該襯底的該表面以在該襯底上形成膜。

2.如權利要求1所述的方法，其中該III-V族半導體選擇于由砷化銦、磷化銦、砷化鎵、磷化鎵、銻化鎵、氮化鋁、銻化銦、砷化鋁、磷化鋁、銻化鋁、砷化銦鎵、磷砷化鎵、磷砷化銦、磷砷化鎵銦、砷化鎵鋁銦、氮化鎵銦和氮化鎵鋁組成的組。

3.如權利要求1所述的方法，其中該III-V族半導體是氮化鎵。

4.如權利要求3所述的方法，其中該襯底包括藍寶石上的硅摻雜、n摻雜、未摻雜、或者p摻雜的氮化鎵。

5.如權利要求3所述的方法，其中該襯底包括塊狀氮化鎵。

6.如權利要求3所述的方法，其中該襯底包括碳化硅上的氮化鎵。

7.如權利要求3所述的方法，其中該襯底包括硅上的氮化鎵。

8.如權利要求1所述的方法，其中該蝕刻液包括氫氟酸和過氧化氫。

9.如權利要求1所述的方法，其中該蝕刻液包括氫氧化鉀。

10.如權利要求1所述的方法，其中該襯底的該表面包括多個位錯。

11.如權利要求1所述的方法，其中該蝕刻液選擇性地蝕刻該位錯處。

12.如權利要求1所述的方法，其中該襯底的該表面通過輻照源輻照，其中該輻照源的能量大于該III-V族半導體的帶隙。

13.如權利要求1所述的方法，其中該襯底的該表面通過紫外光源輻照，其中該紫外光源的能量高于該III-V族半導體的帶隙。

14.如權利要求1所述的方法，其中該襯底的該表面通過X射線照射。

15.如權利要求1所述的方法，其中該襯底的該表面通過伽馬射線照射。

16.如權利要求12所述的方法，其中該方法還包括控制該輻照源的強度。

17.如權利要求1所述的方法，其中該襯底的該表面的一部分涂有電極。

18.如權利要求17所述的方法，其中該電極的材料可以選自鈦、鉑、銀和金。

19.如權利要求1所述的方法，其中該方法還包括施加電場于該襯底的該表面。

20.如權利要求1所述的方法，其中該方法還包括干燥該襯底。,

21.如權利要求1所述的方法，其中該III-V族半導體膜的厚度在10納米和1微米之間。

22.如權利要求1所述的方法，其中該方法還包括轉移該III-V族半導體膜至第二基板。

23.一種包括無位錯單晶III-V族半導體的膜，其中該無位錯單晶III-V族半導體具有10納米和1微米之間的厚度。

24.如權利要求23所述的膜，其中該膜包括多個孔隙。

25.如權利要求23所述的膜，其中該III-V族半導體是氮化鎵。

26.如權利要求25所述的膜，其中多個氮化鎵引線通過該無位錯單晶氮化鎵突出。

27.如權利要求25所述的膜，其中該膜還包括在該無位錯單晶氮化鎵下面的多孔氮化鎵層。

28.一種包括襯底上的無位錯單晶III-V族半導體的結構，其中該襯底是聚合物襯底、銅襯底、硅襯底、玻璃襯底、碳化硅襯底、藍寶石襯底、石英襯底、瓷襯底、磷化銦襯底、氮化鎵襯底、砷化鎵襯底、氧化鈹襯底、氮化鋁襯底、氧化鋁襯底、塑料襯底、或陶瓷襯底。

29.一種用于生長III-V族半導體的裝置，其包括膜，其中該膜包括無位錯單晶III-V族半導體，且其中該膜具有10納米和1微米之間的厚度。

30.如權利要求29所述的裝置，其中該III-V族半導體是氮化鎵。