[發明專利]轉矩測量裝置

在審

• 申請號: 201380073035.1
• 申請日: 2013-12-10
• 公開（公告）號: CN105051511A
• 公開（公告）日: 2015-11-11
• 發明（設計）人: 弗蘭克·本克特;延斯·海姆;馬蒂亞斯·施佩伯;于爾根·吉爾;克里斯蒂安·努依絲;斯特凡·格呂克
• 申請（專利權）人: 舍弗勒技術股份兩合公司
• 主分類號: G01L3/10
• 分類號: G01L3/10
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 車文;張建濤

1.一種轉矩測量裝置(4)，其包括：

-設置為驅動軸的內軸(2)；

-與所述內軸(2)連接的且同軸地包圍所述內軸的設置為從動軸的空心軸(3)，

其中，所述空心軸(3)具有包括應變條(5)的用于轉矩測量的直接涂覆部。

2.根據權利要求1所述的轉矩測量裝置(4)，其特征在于，所述空心軸(3)具有金屬基材、施加在所述金屬基材上的絕緣層(11)、以及施加在所述絕緣層上的且形成所述應變條(5)的測量層(12)。

3.根據權利要求2所述的轉矩測量裝置(4)，其特征在于，所述絕緣層(11)包括氧化物。

4.根據權利要求2所述的轉矩測量裝置(4)，其特征在于，所述絕緣層(11)包括碳化物。

5.根據權利要求2所述的轉矩測量裝置(4)，其特征在于，所述絕緣層(11)包括無定形碳。

6.根據權利要求2所述的轉矩測量裝置(4)，其特征在于，所述絕緣層(11)包括聚合物。

7.根據權利要求2至6中任一項所述的轉矩測量裝置(4)，其特征在于，所述測量層(12)的厚度為最少0.05μm且最高1.0μm。

8.根據權利要求7所述的轉矩測量裝置(4)，其特征在于，所述測量層(12)由NiCr合金形成。

9.根據權利要求2至8中任一項所述的轉矩測量裝置(4)，其特征在于，保護層(13)是施布到所述測量層(12)上的。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的轉矩測量裝置(4)，其特征在于，所述直接涂覆部的總厚度為最大20μm。

11.根據權利要求1至9中任一項所述的轉矩測量裝置(4)，其特征在于布置在所述空心軸(3)上的信號傳遞組件(6)。

12.根據權利要求11所述的轉矩測量裝置(4)，其特征在于，滑環設置為信號傳遞組件。

13.根據權利要求11所述的轉矩測量裝置(4)，其特征在于，所述信號傳遞組件(6)構造用于進行無線的信號傳遞。

14.根據權利要求11至13中任一項所述的轉矩測量裝置(4)，其特征在于布置在所述空心軸(6)上的信號評估組件。

15.根據權利要求1至14中任一項所述的轉矩測量裝置(4)，其特征在于布置在所述內軸(2)上的轉速測量組件(10)。

16.一種中軸，其包括根據權利要求1至15中任一項所述的轉矩測量裝置(4)。

17.一種用于制造轉矩測量裝置(4)的方法，其具有以下特征：

-將提供用于轉矩測量的測量層(12)且形成應變條(5)的涂覆部施加在空心軸(3)的基材上作為直接涂覆部，其中，在將所述涂覆部施加到所述空心軸(3)上之后才進行對所述應變條(5)的結構化，

-將所述空心軸(3)抗相對轉動地與同軸地布置在所述空心軸之內的內軸(2)連接起來，其中，所述內軸(2)形成驅動軸，而所述空心軸(3)形成從動軸。

18.根據權利要求17所述的方法，其特征在于，對所述應變條(5)的結構化通過激光加工來實現。

19.根據權利要求17所述的方法，其特征在于，對所述應變條(5)的結構化以光刻的方式來實現。

20.根據權利要求17至19中任一項所述的方法，其特征在于，為了制造所述直接涂覆部，首先在所述空心軸(3)的基材上生成絕緣層(11)并緊接著在所述絕緣層(11)上生成測量層(12)。

21.根據權利要求20所述的方法，其特征在于，所述絕緣層(11)和所述測量層(12)中的至少一個層利用PVD法或PACVD法來生成。

22.根據權利要求17至21中任一項所述的方法，其特征在于，將有機或無機的保護層(13)施布到所述測量層(12)上。