[發(fā)明專利]SOI晶圓的制造方法以及SOI晶圓

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380071248.0
• 申請日: 2013-12-10
• 公開（公告）號: CN104956464A
• 公開（公告）日: 2015-09-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小林德弘;橫川功;阿賀浩司
• 申請（專利權(quán)）人: 信越半導(dǎo)體株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/265;H01L27/12
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 謝順星;張晶

1.一種SOI晶圓的制造方法，從由單晶硅晶圓構(gòu)成的接合晶圓的表面注入氫離子形成離子注入層，在將該接合晶圓的離子注入過的表面與由單晶硅晶圓構(gòu)成的基底晶圓表面通過氧化膜貼合后，進(jìn)行剝離熱處理，在所述離子注入層將接合晶圓剝離，由此制作SOI晶圓，其特征在于，

在對所述接合晶圓的貼合面和所述基底晶圓的貼合面中至少一個(gè)表面實(shí)施等離子處理后，通過所述氧化膜進(jìn)行貼合，

在所述剝離熱處理中，通過進(jìn)行第一步驟，即以250℃以下的溫度進(jìn)行2小時(shí)以上的熱處理，以及第二步驟，即以400℃以上450℃以下的溫度進(jìn)行30分鐘以上的熱處理，由此在所述離子注入層剝離所述接合晶圓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SOI晶圓的制造方法，其特征在于，所述等離子處理對具有氧化膜的晶圓進(jìn)行氮等離子處理，對沒有氧化膜的晶圓進(jìn)行氧等離子處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的SOI晶圓的制造方法，其特征在于，對所述剝離后的SOI晶圓的剝離面不進(jìn)行CMP，而進(jìn)行平坦化處理。

4.一種SOI晶圓，其通過權(quán)利要求1或2所述的SOI晶圓的制造方法制造，其特征在于，作為剝離面的SOI層表面的表面粗糙度即RMS為3nm以下，并且該SOI層的膜厚范圍為1.5nm以下。