[發明專利]用于制造電致發光納米線的優化方法

在審

• 申請號: 201380070429.1
• 申請日: 2013-10-10
• 公開（公告）號: CN104937730A
• 公開（公告）日: 2015-09-23
• 發明（設計）人: C·卡利
• 申請（專利權）人: 阿萊迪亞公司
• 主分類號: H01L33/08
• 分類號: H01L33/08;H01L33/18;H01L33/00;H01L33/24
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種用于在襯底的表面上制造納米線(NT_n)的陣列的工藝，所述納米線包括能夠在電控制或光控制的作用下在至少一個波長(λ)發射輻射的部分，并且通過導電上層而至少部分地互相電連接，所述工藝的特征在于包括能夠在有效納米線(NT_j)當中識別有缺陷的納米線(NT_i)的子集的步驟，所述步驟包括：

-制造對所述發射波長(λ)敏感的負性光刻膠層，覆蓋所述納米線的陣列；

-在電控制或者光控制下激活所述納米線的陣列，使得所述有效納米線發射所述輻射，所述輻射降低所述負性抗蝕劑的溶解性；

-對與有缺陷的納米線(NT_i)對齊的所述抗蝕劑進行顯影，留下變得更難溶解并且圍繞所述有效納米線(NT_j)的區；以及

-去除在所述有缺陷的納米線上方的所述導電層。

2.根據權利要求1所述的用于在襯底的表面上制造納米線(NT_n)陣列的工藝，其特征在于所述抗蝕劑包含在兩根連續的納米線之間的間隙(Oi)，包括在所述間隙(Oi)中制造在所述波長λ是吸收性的特征(M_λi)。

3.一種用于在襯底的表面上制造納米線(NT_n)的陣列的工藝，所述納米線包括能夠在電控制或光控制的作用下在至少一個波長(λ)發射輻射的部分，并且通過上導電層而至少部分地互相電連接，所述工藝的特征在于包括能夠在有效納米線(NT_j)當中識別有缺陷的納米線(NT_i)的子集的步驟，所述步驟包括：

-沉積在所述發射波長是吸收性的并且對被稱作輔助波長(λ_a)的波長敏感的正性光刻膠層，覆蓋全部所述納米線覆蓋全部所述納米線；

-除了在位于兩根連續的納米線之間的區域外，將所述正性抗蝕劑暴露在所述輔助波長(λ_a)的輻射，從而形成溶解性降低的特征(M_λj)；

-對所述正性抗蝕劑進行顯影，從而只留下在所述襯底的表面上的兩根連續的納米線之間的溶解性降低的所述正性抗蝕劑特征(M_λj)；

-沉積對所述發射波長(λ)敏感的負性光刻膠層，覆蓋全部所述納米線與全部位于兩根連續納米線之間的特征；

-在電控制或者光控制下激活全部所述納米線，使得所述有效納米線發射所述輻射，所述輻射降低所述負性抗蝕劑的溶解性；

-對與有缺陷的納米線對齊的所述負性光刻膠進行顯影，留下變得更難溶解并且圍繞所述有效納米線的區；以及

-去除在所述有缺陷的納米線上方的所述導電層。

4.根據權利要求1至3中的一項所述的用于在襯底的表面上制造納米線(NT_n)的陣列的工藝，其特征在于納米線的結構基于III-V族異質結。

5.根據權利要求1至4中的一項所述的用于在襯底的表面上制造納米線(NT_n)的陣列的工藝，其特征在于包括通過所述負性光刻膠而制造接觸。

6.根據權利要求1至5中的一項所述的用于在襯底的表面上制造納米線(NT_n)的陣列的工藝，其特征在于所述納米線通過在可能為約235nm的波長的光控制而激活。

7.根據權利要求1至6中的一項所述的用于在襯底的表面上制造納米線(NT_n)的陣列的工藝，其特征在于通過化學操作而去除導電層。

8.根據權利要求1至7中的一項所述的用于在襯底的表面上制造納米線(NT_n)的陣列的工藝，其特征在于納米線基于GaN或者包含GaN的合金。

9.根據權利要求8所述的用于在襯底的表面上制造納米線(NT_n)陣列的工藝，其特征在于包括基于GaN或包含GaN的合金、GaN或包含n型摻雜GaN的合金以及GaN或包含p型摻雜GaN的合金的異質結納米線的外延生長。

10.根據權利要求9所述的用于在襯底的表面上制造納米線(NT_n)的陣列的工藝，其特征在于包括在垂直于襯底的平面中的軸向外延生長的步驟。