[發明專利]復合基板及其制造方法，以及彈性波裝置

在審

• 申請號: 201380066077.2
• 申請日: 2013-12-25
• 公開（公告）號: CN104871431A
• 公開（公告）日: 2015-08-26
• 發明（設計）人: 堀裕二;多井知義;池尻光雄
• 申請（專利權）人: 日本礙子株式會社
• 主分類號: H03H3/08
• 分類號: H03H3/08
• 代理公司: 上海市華誠律師事務所 31210
• 代理人: 李曉

1.一種復合基板的制造方法，其包括：

工序(a)：將壓電基板和支撐基板接合形成直徑在4英寸以上的粘合基板，通過鏡面研磨該粘合基板的壓電基板側，將所述壓電基板的厚度研磨至3μm以下；

工序(b)：制作所述鏡面研磨后的壓電基板的厚度分布數據；

工序(c)：基于所述厚度分布數據，利用離子束加工機對所述壓電基板進行加工獲得復合基板，其中厚度在3μm以下的所述壓電基板在整個平面上厚度的最大值和最小值的差在60nm以下，且所述壓電基板顯示出通過X射線衍射獲得的搖擺曲線的半峰寬為100弧秒以下的結晶性。

2.如權利要求1所述的復合基板的制造方法，其特征在于，在所述工序(a)中，對于所述粘合基板的壓電基板側，首先使用磨床研磨，然后使用研磨加工機進行研磨，進一步使用CMP研磨機通過鏡面研磨將所述壓電基板的厚度研磨至3μm以下。

3.如權利要求1或2所述的復合基板的制造方法，其特征在于，在所述工序(b)中，通過使用激光干涉的光學式膜厚度測量儀測量所述鏡面研磨后的壓電基板的厚度，作成厚度分布數據。

4.如權利要求1～3中任一項所述的復合基板的制造方法，其特征在于，在所述工序(c)中，將所述厚度分布數據輸入到所述離子束加工機上，由此決定對所述壓電基板表面上各點的離子束照射時間，使用該離子束照射時間進行加工。

5.如權利要求1～3中任一項所述的復合基板的制造方法，其特征在于，在所述工序(c)中，將所述厚度分布數據輸入到所述離子束加工機上，由此決定對所述壓電基板表面上各點的離子束輸出功率，使用該離子束輸出功率進行加工。

6.如權利要求1～5任一項所述的復合基板的制造方法，其特征在于，在所述工序(c)中，使用具有DC激發型Ar離子束源的離子束加工機作為所述離子束加工機。

7.一種復合基板，其為壓電基板和支撐基板接合形成的直徑在4英寸以上的復合基板，

所述壓電基板的厚度在3μm以下，在所述壓電基板的整個平面上該厚度的最大值和最小值的差在60nm以下，且所述壓電基板顯示出通過X射線衍射獲得的搖擺曲線的半峰寬為100弧秒以下的結晶性。

8.一種使用了權利要求7所述的復合基板的彈性波裝置。