[發明專利]加成-斷裂低聚物

有效

• 申請號: 201380065942.1
• 申請日: 2013-11-27
• 公開（公告）號: CN104870484B
• 公開（公告）日: 2016-11-23
• 發明（設計）人: A·R·弗諾夫;W·H·莫澤;L·R·克雷普斯基;G·D·喬利;A·S·阿比爾雅曼;A·法爾薩菲;B·N·加達姆
• 申請（專利權）人: 3M創新有限公司
• 主分類號: C08F2/38
• 分類號: C08F2/38;C08F220/18;C08F220/56
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳長會;侯寶光

1.一種由下式表示的加成-斷裂低聚物：

其中

R^A和R^B各自為(雜)烴基基團，其中R^A和^B中的至少一者為

X¹為-O-或NR⁵-，其中R⁵為H或C₁-C₄烷基；

Z包含烯鍵式不飽和聚合型基團；

y為0或1；

x為0或1，并且x或y中的至少一者必須為一。

2.根據權利要求1所述的加成-斷裂低聚物，其中R^A和R^B均為

3.根據權利要求1所述的加成-斷裂低聚物，其中Z包含(甲基)丙烯酸酯或乙烯基基團。

4.根據權利要求1所述的加成-斷裂低聚物，所述加成-斷裂低聚物衍生自由下式表示的化合物：

R¹-O-CO-R^A-CO-O-R¹，其中R^A為(雜)烴基基團并且R¹為H或烷基。

5.根據權利要求4所述的加成-斷裂低聚物，所述加成-斷裂低聚物衍生自由下式表示的化合物：

X²-R^B-X²，其中R^B為(雜)烴基基團并且X²為與所述共聚單體的酸官能團或酯官能團反應的官能團。

6.根據權利要求1所述的加成-斷裂低聚物，其中y為1。

7.根據權利要求1所述的加成-斷裂低聚物，其中y為0。

8.根據權利要求1所述的加成-斷裂低聚物，其中x+y為0至60。

9.根據權利要求5所述的加成-斷裂低聚物，其中由式X²-R^B-X²表示的化合物選自雙官能環氧化物、二醇、氮丙啶、異氰酸酯和二胺。

10.根據權利要求1所述的加成-斷裂低聚物，其衍生自由下式表示的烯鍵式不飽和化合物：

(Z)_d-X³，其中Z包含烯鍵式不飽和基團，并且X³為與化合物R¹-O-CO-R^A-CO-O-R¹或X²-R^B-X²的官能團反應的官能團。

11.根據權利要求10所述的加成-斷裂低聚物，其中由式(Z)_d-X³表示的化合物具有下式：

Y¹-R³-O-CO-CR²＝CH₂，其中Y¹為與羧酸基團反應的親電子官能團，R³為亞烷基，R²為H或CH₃。

12.根據權利要求10所述的加成-斷裂低聚物，其中由式(Z)_d-X³表示的化合物具有下式：

Y²-R³-O-CO-CR²＝CH₂，其中Y²為與羧基酯基團或親電子官能團反應的親核官能團，R³為亞烷基，R²為H或CH₃。