[發(fā)明專利]用于還原鋁的電解槽中的壁的側(cè)壁磚

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380065564.7
• 申請日: 2013-12-13
• 公開（公告）號: CN104854264B
• 公開（公告）日: 2018-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 弗蘭克·希爾特曼;詹努茲·圖馬拉;加贊法爾·阿巴斯;托馬斯·弗羅梅爾特;賴納·施米特;馬庫斯·普費弗
• 申請（專利權(quán)）人: 西格里CFLCE有限責(zé)任公司
• 主分類號: C25C3/08
• 分類號: C25C3/08;C25C7/00;C25C3/16
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 王潛;郭國清

1.一種用于電解槽中的壁的側(cè)壁磚，

其中

所述側(cè)壁磚(28)為層狀體，

所述層狀體包含具有較低熱導(dǎo)率的層(36)和具有較高熱導(dǎo)率的層(38)，在920℃～1000℃的溫度下測得的較低熱導(dǎo)率與較高熱導(dǎo)率之間的差至少為5W/m·K，

其特征在于

所述層(36，38)中的至少一個摻雜有硅、氧化的陶瓷材料或非氧化的材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)壁磚，

其特征在于

所述層狀體具有交替順序的具有較低熱導(dǎo)率的層(36)和具有較高熱導(dǎo)率的層(38)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的側(cè)壁磚，

其特征在于

所述層狀體的一個外層為具有較低熱導(dǎo)率的層(36)并且另一個外層為具有較高熱導(dǎo)率的層(38)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任一項所述的側(cè)壁磚，

其特征在于

所述層(36，38)具有塊形狀，并且經(jīng)由接觸面連接在一起。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的側(cè)壁磚，

其特征在于

所述層(36，38)經(jīng)由其底面(40，42)或經(jīng)由其側(cè)面(44，46)連接在一起。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任一項所述的側(cè)壁磚，

其特征在于

所述層(36，38)中的一個具有塊形狀，并且其它層(36，38)具有多邊形形狀，所述兩個層經(jīng)由接觸面連接在一起。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的側(cè)壁磚，

其特征在于

具有多邊形形狀的所述層(36，38)為具有三個至六個角的多邊形。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的側(cè)壁磚，

其特征在于，

當(dāng)所述層(36，38)經(jīng)由其底面(40，42)連接在一起時，所述層狀體的厚度為50mm～700mm。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的側(cè)壁磚，

其特征在于，

當(dāng)所述層(36，38)經(jīng)由其側(cè)面(44，46)連接在一起時，所述層的高度為150mm～450mm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任一項所述的側(cè)壁磚，

其特征在于

至少一個層(36，38)由選自碳或碳化硅或其任意混合物的材料構(gòu)成。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的側(cè)壁磚，

其特征在于

所述碳選自石墨碳或石墨化的碳。

12.根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任一項所述的側(cè)壁磚，

其特征在于

至少一個層(36，38)含有選自碳或碳化硅或其任意混合物的材料。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的側(cè)壁磚，

其特征在于

所述碳選自石墨碳或石墨化的碳。

14.根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任一項所述的側(cè)壁磚，

其特征在于

較低熱導(dǎo)率與較高熱導(dǎo)率之間的差為5W/m·K～80W/m·K。

15.一種用于制造根據(jù)權(quán)利要求1～14中的任一項所述的側(cè)壁磚(28)的方法，所述方法包括以下步驟：

a)提供用于具有較低熱導(dǎo)率的層(36)的混合物，用于具有較高熱導(dǎo)率的層(38)的混合物，和任選地一種或多種用于至少一個其它層的混合物，

b)從根據(jù)步驟a)的混合物形成具有層結(jié)構(gòu)的生坯塊，

c)在1100℃至1400℃的溫度下燒制根據(jù)步驟b)的生坯塊。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，

其特征在于

根據(jù)步驟b)的形成包括振動成型。