[發明專利]具有金屬接合保護層的基板支撐組件無效
| 申請號: | 201380063414.2 | 申請日: | 2013-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN104823274A | 公開(公告)日: | 2015-08-05 |
| 發明(設計)人: | V·D·帕科;K·R·納倫德拉斯 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/3065 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 黃嵩泉 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 金屬 接合 保護層 支撐 組件 | ||
技術領域
本發明的一些實施例大體上是關于具有抗等離子體保護層的基板支撐組件,諸如靜電夾盤。其他實施例是關于反應性多層箔及反應性多層箔的制造。
背景技術
在半導體工業中,裝置是由產生具有不斷降低的尺寸的結構的多個制造工藝制造。一些制造工藝(諸如,等離子體蝕刻及等離子體清洗工藝)使基板支撐件(例如,在晶圓處理期間的基板支撐件的邊緣及在腔室清洗期間的整個基板支撐件)暴露至高速等離子體流以蝕刻或清洗基板。等離子體可能為強腐蝕性的,且可能腐蝕暴露于等離子體的處理腔室及其他表面。
另外,傳統靜電夾盤包括硅樹脂接合至金屬冷卻板的陶瓷圓盤。此類傳統靜電夾盤中的陶瓷圓盤是由多步驟制造工藝制造,該多步驟制造工藝可能高成本地形成嵌入電極及加熱元件。
反應性多層箔(本文稱為反應性箔)用于形成基板之間的金屬接合。傳統反應性箔是以平坦的無特征結構片制造。傳統反應性箔通常不適于接合具有不平坦表面的基板。另外,若傳統反應性箔用于接合具有表面特征結構的基板,則該反應性箔經機械加工(例如,通過激光鉆孔、化學蝕刻等)以在反應性箔中形成對應特征結構。此類機器加工可誘發反應性箔上的熱負荷并且致使反應性箔點燃。此外,傳統反應性箔具有預置尺寸,諸如9平方英寸。當傳統反應性箔用于接合大于反應性箔的基板時,則多個反應性箔片用于執行接合。此舉通常在反應性箔片之間引入漏失路徑(諸如,裂縫、凹槽、線等),并且致使生成的金屬接合不被真空密封。
發明內容
在一個實施例中,靜電夾盤包括陶瓷主體及接合至陶瓷主體的下表面的導熱基底。陶瓷主體可通過金屬接合或通過硅樹脂接合而接合至導熱基底。靜電夾盤制造為具有保護層,該保護層通過金屬接合而接合至陶瓷主體的上表面,該保護層包含整體燒結陶瓷制品。
在另一實施例中,制造反應性箔。提供具有一或更多個表面特征的模板。鋁及鎳的交替納米級層沉積在模板上以形成反應性箔片。從模板移除反應性箔片。生成的反應性箔片具有對應于一或更多個表面特征結構的一或更多個箔特征結構。
附圖說明
在隨附圖式的諸圖中以舉例而非限制的方式圖示本發明,在隨附圖式中,類似元件符號代表類似元件。應注意,在本揭示案中對「一」實施例或「一個」實施例的不同引用不必指相同的實施例,并且此類引用意謂至少一個。
圖1圖示處理腔室的一個實施例的截面圖;
圖2圖示基板支撐組件的一個實施例的分解圖;
圖3圖示基板支撐組件的一個實施例的側視圖;
圖4圖示基板支撐件的一個實施例的分解側視圖;
圖5圖示用于制造靜電夾盤的工藝的一個實施例;
圖6圖示用于制造靜電夾盤的工藝的另一實施例;
圖7圖示用于執行金屬接合工藝的工藝的一個實施例;
圖8圖示用于制造具有預先形成箔特征結構的反應性箔的工藝的一個實施例;
圖9A圖示納米級金屬層至具有表面特征結構的模板上的沉積;
圖9B圖示具有預先形成箔特征結構的反應性箔片;
圖10A圖示納米級金屬層至不平坦模板上的沉積;
圖10B圖示不平坦反應性箔片;及
圖11圖示互鎖的反應性箔片。
具體實施方式
本發明的實施例提供一種基板支撐組件(例如,靜電夾盤),該基板支撐組件具有形成在基板支撐組件的陶瓷主體上方的保護層。保護層可提供抗等離子體腐蝕性以用于陶瓷主體的保護。保護層可為使用納米接合技術金屬接合至陶瓷主體的整體燒結陶瓷制品(例如,陶瓷晶圓)。各種接合材料(諸如,In、Sn、Ag、Au、Cu及其合金)可與反應性箔一起使用。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





