[發(fā)明專利]包括基板的傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380062165.5 | 申請日： | 2013-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN104870960A | 公開（公告）日： | 2015-08-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 斯蒂恩·穆勒伯格·馬贊 | 申請（專利權(quán)）人： | 丹佛斯公司 |
| 主分類號： | G01L9/00 | 分類號： | G01L9/00;G01L9/04;G01L19/06;G01L1/22;G01L9/06;G01L1/16 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 汪洋 |
| 地址： | 丹麥諾堡市諾*** | 國省代碼： | 丹麥;DK |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 包括 傳感器 | ||
1.一種傳感器(1)，包括：
-一個n摻雜基板(2)，
-多個測量電子器件，這些測量電子器件至少部分地安排在該基板(2)上，所述測量電子器件包括一個惠斯通電橋(3)，
-一個場屏蔽(4)，該場屏蔽被安排在該基板(2)上，其方式為該場屏蔽(4)覆蓋該惠斯通電橋(3)，
-一個電源，該電源被安排成用于將電壓供應到該基板(2)和這些測量電子器件上，其方式為：
-將一個準直流電壓供應到該惠斯通電橋(3)上，并且
-將一個直流電壓供應到該基板(2)上，所述直流電壓的電平高于或等于所述供應到該惠斯通電橋(3)上的準直流電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器(1)，其中，該電源被進一步安排成用于將電壓供應到該場屏蔽(4)上，其方式為所述供應到該場屏蔽上的電壓的電平高于或等于所述供應到該惠斯通電橋(3)上的準直流電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的傳感器(1)，其中，所述供應到該基板(2)上的直流電壓的電平等于所述供應到該場屏蔽(4)上的電壓的電平。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的傳感器(1)，其中，所述供應到該場屏蔽(4)上的電壓跟隨著所述供應到該惠斯通電橋(3)上的準直流電壓。
5.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的傳感器(1)，其中，所述供應到該基板(2)上的直流電壓電平與所述供應到該惠斯通電橋(3)上的準直流電壓之間的差值至少是0.5V。
6.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的傳感器，其中，這些測量電子器件進一步包括一個或多個電阻器(15，16)，每個電阻器(15，16)電連接在該電源與該惠斯通電橋(3)的一個激勵節(jié)點(5，6)之間。
7.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的傳感器(1)，其中，該惠斯通電橋(3)由在該基板(2)中實現(xiàn)的多個p摻雜電阻器(17)形成。
8.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的傳感器(1)，其中，該傳感器(1)是一個壓阻式MEMS傳感器芯片。
9.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的傳感器(1)，其中，這些測量電子器件進一步包括一個開關(guān)裝置(9)，所述開關(guān)裝置(9)被安排成用于生成一個準直流電壓信號并且將所生成的該準直流電壓信號供應到該惠斯通電橋(3)上。
10.根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的傳感器(1)，其中，該傳感器(1)是一個壓力傳感器。
11.一種傳感器(1)，包括：
-一個p摻雜基板(2)，
-多個測量電子器件，這些測量電子器件至少部分地安排在該基板(2)上，所述測量電子器件包括一個惠斯通電橋(3)，
-一個場屏蔽(4)，該場屏蔽被安排在該基板(2)上，其方式為該場屏蔽覆蓋該惠斯通電橋(3)，
-一個電源，該電源被安排成用于將電壓供應到該基板(2)和這些測量電子器件上，其方式為：
-將一個準直流電壓供應到該惠斯通電橋(3)上，并且
-將一個直流電壓供應到該基板(2)上，所述直流電壓的電平低于或等于所述供應到該惠斯通電橋(3)上的準直流電壓。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的傳感器(1)，其中，該電源進一步被安排成用于將電壓供應到該場屏蔽(4)上，其方式為所述供應到該場屏蔽上的電壓的電平低于或等于所述供應到該惠斯通電橋(3)上的準直流電壓。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的傳感器(1)，其中，該惠斯通電橋(3)由在該基板(2)中實現(xiàn)的多個n摻雜電阻器(17)形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求11至13中任一項所述的傳感器(1)，其中，該傳感器(1)是一個壓力傳感器。
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