[發(fā)明專利]電光器件堆疊體有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380055543.7 | 申請日: | 2013-06-14 |
| 公開(公告)號: | CN104756274B | 公開(公告)日: | 2017-06-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 賈斯珀·約斯特·邁克爾;保盧斯·威廉默斯·瑪麗亞·布洛姆;喬治·托馬斯·雅各布·格茨 | 申請(專利權(quán))人: | 荷蘭應(yīng)用自然科學(xué)研究組織TNO |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/56;H01L51/48 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227 | 代理人: | 蔡勝有,顧晉偉 |
| 地址: | 荷蘭*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電光 器件 堆疊 | ||
1.一種制造電光器件堆疊體(10)的方法,所述方法包括:
-提供接觸電光層(13)的電荷注入層(12),所述電荷注入層(12)包含引發(fā)劑化合物(12p);
-在所述電光層(13)上沉積抗蝕劑層(14),所述抗蝕劑層(14)包含與所述引發(fā)劑化合物(12p)反應(yīng)的抗蝕劑材料(14m);
-通過由來自所述電荷注入層(12)的所述引發(fā)劑化合物(12p)而引發(fā)和/或催化的反應(yīng)來使所述抗蝕劑材料(14m)在與所述電光層(13)中的缺口相鄰處進行反應(yīng),由此形成覆蓋所述缺口的經(jīng)反應(yīng)的抗蝕劑材料的補片(14p);以及
-去除所述抗蝕劑材料的沒有反應(yīng)的部分,其中,所述補片(14p)被保留為布置成用于在所述電荷注入層(12)與后續(xù)沉積在所述電光層(13)和所述補片(14p)上的層(15)之間提供電絕緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述電荷注入層(12)包括電極(16)并且所述引發(fā)劑化合物包括包含在所述電極(16)中的氧化材料;并且所述方法包括:
-在所述電光層(13)上沉積包含可自由基聚合的抗蝕劑材料的抗蝕劑層(14);
-通過由來自所述電極(16)的氧化材料的自由基而引發(fā)的自由基聚合反應(yīng)來使所述抗蝕劑材料在與所述電光層(13)的缺口相鄰處進行反應(yīng),由此形成覆蓋所述缺口(12’、13’)的經(jīng)自由基聚合的抗蝕劑材料的補片(14p);以及
-去除所述抗蝕劑材料的沒有聚合的部分,其中,所述補片(14p)被保留為布置成用于在所述電荷注入層(12)與后續(xù)沉積在所述電光層(13)和補片(14p)上的層(15)之間提供電絕緣。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述引發(fā)劑化合物包括包含在所述電荷注入層(12)中的酸性化合物(12m);并且所述方法包括:
-在所述電光層(13)上沉積抗蝕劑層(14),所述抗蝕劑層(14)包含可陽離子交聯(lián)的抗蝕劑材料(14m);
-通過由來自所述電荷注入層(12)的質(zhì)子而引發(fā)的交聯(lián)反應(yīng)來使所述抗蝕劑材料(14m)在與所述電光層(13)中的缺口(12’、13’)相鄰處進行反應(yīng),由此形成覆蓋所述缺口(12’、13’)的經(jīng)交聯(lián)的抗蝕劑材料(14c)的補片(14p);以及
-去除所述抗蝕劑材料(14m)的沒有交聯(lián)的部分,其中,所述補片(14p)被保留為布置成用于在所述電荷注入層(12)與后續(xù)沉積在所述電光層(13)和補片(14p)上的層之間提供電絕緣。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中:
-所述層(15)為沉積在所述電光層(13)和補片(14p)上的陰極層,其中所述補片(14p)布置成用于在所述電荷注入層(12)與所述陰極層之間提供電絕緣。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述使所述抗蝕劑材料(14m)進行反應(yīng)包括加熱所述器件堆疊體(10)并保持預(yù)定時間段期間以生長所述補片(14p)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述電光層(13)的平均層厚為10nm至500nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述電荷注入層(12)包含聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中在所述電光層(13)上沉積抗蝕劑層(14)包括沉積包含可陽離子交聯(lián)的抗蝕劑材料(14m)的溶劑以及蒸發(fā)所述溶劑。
9.一種通過權(quán)利要求3所述的方法獲得的電光器件堆疊體(10),所述器件堆疊體(10)包括多層結(jié)構(gòu),所述多層結(jié)構(gòu)包括:
-包含酸性化合物(12m)的電荷注入層(12);
-陰極層;以及
-布置在所述電荷注入層(12)與所述陰極層之間的電光層(13),
-其中在所述電荷注入層(12)與所述陰極層之間在所述電光層(13)中的缺口(12’、13’)被包含經(jīng)陽離子交聯(lián)的抗蝕劑材料(14c)的電絕緣補片(14p)覆蓋。
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