[發明專利]攝像裝置、內窺鏡、半導體裝置以及半導體裝置的制造方法在審
| 申請號: | 201380055442.X | 申請日: | 2013-10-04 |
| 公開(公告)號: | CN104769720A | 公開(公告)日: | 2015-07-08 |
| 發明(設計)人: | 吉田和洋;中山高志 | 申請(專利權)人: | 奧林巴斯株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/14 | 分類號: | H01L27/14;H04N5/335 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;于靖帥 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 攝像 裝置 內窺鏡 半導體 以及 制造 方法 | ||
1.一種攝像裝置,其特征在于,具備:
攝像元件芯片,其在正面具有攝像部,在背面具有經由貫穿布線而與所述攝像部連接的接合端子;
信號纜線,其具有與所述攝像部連接的導線;以及
布線板,其由中央部和從所述中央部延伸設置的多個延伸設置部構成,并具有:形成在所述中央部的與所述接合端子接合的接合電極、形成在所述延伸設置部的與所述導線接合的端子電極、連接所述接合電極和所述端子電極的布線、以及形成在未形成有所述接合電極、所述端子電極和所述布線的區域中的傳熱圖案,通過使所述延伸設置部折彎而將該布線板配置在所述攝像元件芯片的投影面內。
2.根據權利要求1所述的攝像裝置,其特征在于,
所述攝像元件芯片在背面具有與所述接合端子相同形狀的、未與所述攝像部連接的虛設接合端子,
所述布線板具有與所述接合電極相同形狀的、與所述虛設接合端子接合的虛設接合電極。
3.根據權利要求2所述的攝像裝置,其特征在于,
所述布線板的所述傳熱圖案與所述信號纜線的接地電位的導線連接。
4.根據權利要求3所述的攝像裝置,其特征在于,
所述布線板是在第1主面和第2主面上具有布線層的兩面布線板,
在所述第1主面上具有作為向所述攝像部提供電力的布線的電源布線、作為向所述攝像部提供脈沖信號的布線的脈沖布線、以及所述傳熱圖案,
在所述第2主面上具有作為與所述攝像部之間發送接收信號的布線的信號布線。
5.根據權利要求4所述的攝像裝置,其特征在于,
所述布線板在所述第2主面上具有第2傳熱圖案。
6.根據權利要求3所述的攝像裝置,其特征在于,
所述布線板具有從所述中央部向相互垂直的方向延伸設置的3個或4個所述延伸設置部,并且在至少一個所述延伸設置部上形成有所述多個端子電極和所述多個布線,并在至少一個所述延伸設置部上形成有所述傳熱圖案。
7.根據權利要求3所述的攝像裝置,其特征在于,
所述攝像裝置具備由金屬構成的外筒部,該外筒部收納所述攝像元件芯片、所述布線板、以及所述信號纜線的一部分,
所述傳熱圖案的一部分與所述外筒部的內表面相抵接。
8.根據權利要求7所述的攝像裝置,其特征在于,
該攝像裝置具備與所述延伸設置部的主面相抵接的傳熱部件。
9.根據權利要求7所述的攝像裝置,其特征在于,
所述信號纜線具有屏蔽線,
所述屏蔽線與所述傳熱部件和所述外筒部相接合。
10.一種內窺鏡,其特征在于,具備:
插入部,其前端部配設有權利要求1至權利要求9中的任意一項所述的攝像裝置;
操作部,其配設于所述插入部的基端側;以及
通用纜線,其從所述操作部延伸出來。
11.一種半導體裝置,其特征在于,具備:
半導體元件芯片,其具有第1主面和第2主面;
布線板,其安裝在所述半導體元件芯片的所述第2主面上,被彎曲成從所述半導體元件芯片的厚度方向俯視時其整體與所述半導體元件芯片相重合;以及
樹脂,其被填充在所述半導體元件芯片的所述第2主面與所述布線板的安裝至所述第2主面的安裝面之間的空間中,并且,位于從所述厚度方向俯視所述半導體元件芯片時其整體與所述半導體元件芯片相重合的位置上,
所述樹脂從所述空間沿著所述布線板的形成有所述安裝面的外周面上的彎曲部向在所述厚度方向上比所述安裝面遠離所述第2主面的方向溢出。
12.根據權利要求11所述的半導體裝置,其特征在于,
所述彎曲部的供所述樹脂附著的面被實施了親水性處理。
13.根據權利要求11或12所述的半導體裝置,其特征在于,
在所述布線板的內周面配設有用于固定所述布線板的彎曲形狀的加強樹脂。
14.根據權利要求11或12所述的半導體裝置,其特征在于,
在所述布線板的內周面上配設有散熱部件,該散熱部件用于固定所述布線板的彎曲形狀,并且對從所述半導體元件芯片經由所述布線板而被傳來的熱量進行散熱。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于奧林巴斯株式會社,未經奧林巴斯株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201380055442.X/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:具有多個電荷存儲層的存儲器晶體管
- 下一篇:共享擴散標準單元架構
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





