[發明專利]薄膜晶體管陣列

有效

• 申請號: 201380053653.X
• 申請日: 2013-09-06
• 公開（公告）號: CN104718567B
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發明（設計）人: 松原亮平
• 申請（專利權）人: 凸版印刷株式會社
• 主分類號: G09F9/30
• 分類號: G09F9/30;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/786;H01L51/05
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司72002
• 代理人: 白麗,陳建全

1.一種薄膜晶體管陣列，其特征在于，其在第1方向及垂直于所述第1方向的第2方向上以矩陣狀配置有多個薄膜晶體管和電容器的組合，

所述薄膜晶體管由形成于絕緣基板上的柵電極、介由柵極絕緣膜形成于所述柵電極上的源電極及漏電極、以及至少形成在被所述源電極及所述漏電極包圍的所述柵電極的區域上的半導體層構成；

所述電容器由形成于所述絕緣基板上的電容器電極、和與介由所述柵極絕緣膜形成在所述電容器電極上的所述漏電極相連接的像素電極構成，

所述薄膜晶體管陣列具有：將配置于所述矩陣的所述第1方向上的多個所述薄膜晶體管的所述源電極彼此相互連接的多個源極配線；將配置于所述矩陣的所述第2方向上的多個所述薄膜晶體管的所述柵電極彼此相互連接的多個柵極配線；將配置于所述矩陣的所述第2方向上的多個所述電容器的所述電容器電極彼此相互連接的多個電容器配線；以及將配置于所述矩陣的所述第1方向上的多個所述薄膜晶體管的所述半導體層彼此相互連接的多個半導體層連接線，

其中，所述半導體層連接線為橫跨所述多個薄膜晶體管的條紋形狀，并且所述半導體層連接線的寬度比所述薄膜晶體管的所述半導體層的寬度窄，

所述源電極是形成于所述源極配線上的凹部，

在所述源極配線的形成有所述凹部的一側上具有所述源極配線與所述半導體層連接線不重疊的區域。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列，其特征在于，所述半導體層及所述半導體層連接線分別由有機半導體形成。

3.根據權利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列，其特征在于，所述像素電極不與所述半導體層重疊。

4.根據權利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列，其特征在于，

所述源電極具有從所述源極配線向所述第2方向延伸的多個凸部，

所述源電極的多個所述凸部在至少形成有所述半導體層的區域上形成在比所述漏電極更靠外側的位置上，

形成于比所述漏電極更靠外側的所述凸部的前端部未被所述半導體層覆蓋。

5.根據權利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列，其特征在于，所述絕緣基板是柔性基板。