[發(fā)明專利]相移掩膜的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380052684.3
• 申請(qǐng)日: 2013-12-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104718496B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-06-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 影山景弘;望月圣;中村大介
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛(ài)發(fā)科成膜株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G03F1/32
• 分類號(hào): G03F1/32;G03F1/29;H01L21/027
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 楊晶;王琦

相移掩膜的制造方法具有如下工序：形成具有規(guī)定的開(kāi)口圖案的第二掩膜(RP2)，以使表面及露出于圖案開(kāi)口的遮光層(13)被覆蓋，并且使露出于圖案開(kāi)口的蝕刻終止層(12)和相移層(11)在遮光區(qū)域內(nèi)不被覆蓋而在相移區(qū)域內(nèi)被覆蓋。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及能夠形成微細(xì)且高精度的曝光圖案的相移掩膜及其制造方法，特別涉及適合在平板顯示器的制造中使用的技術(shù)。

本申請(qǐng)基于2012年12月27日于日本申請(qǐng)的日本特愿2012-285846號(hào)主張優(yōu)先權(quán)，在此引用其內(nèi)容。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體設(shè)備及FPD的制造工序中，為了在形成于由硅或玻璃等構(gòu)成的基板的抗蝕劑膜上對(duì)微細(xì)圖案進(jìn)行曝光、轉(zhuǎn)印而使用相移掩膜。由于FPD用的玻璃基板比半導(dǎo)體用的硅基板面積大，因此為了以充分的曝光光量對(duì)FPD用的基板進(jìn)行曝光而使用g線、h線及i線的復(fù)合波長(zhǎng)的曝光光。當(dāng)使用這種曝光光時(shí)，以往一直使用邊緣增強(qiáng)型相移掩膜(例如，參考專利文獻(xiàn)1)。

另一方面，作為用于實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步微細(xì)化的方法而使用半色調(diào)型相移掩膜(例如，參考專利文獻(xiàn)2)。根據(jù)該方法，由于在193nm相位為180°，因而能夠設(shè)定光強(qiáng)度為零的位置以提高圖案化精度。而且，由于存在光強(qiáng)度為零的位置，因而能夠?qū)⒔裹c(diǎn)深度設(shè)定得較大，實(shí)現(xiàn)曝光條件的放寬或圖案化的成品率提高。

然而，在上述現(xiàn)有例中，通過(guò)在透明基板上對(duì)遮光層進(jìn)行成膜，并對(duì)該遮光層進(jìn)行蝕刻并圖案化，并且對(duì)相移層進(jìn)行成膜以覆蓋經(jīng)過(guò)圖案化的遮光層，并對(duì)該相移層進(jìn)行蝕刻并圖案化，從而制造出相移掩膜。若如此交替地進(jìn)行成膜和圖案化，則裝置間的運(yùn)送時(shí)間及處理等待時(shí)間將會(huì)延長(zhǎng)，生產(chǎn)效率顯著下降。而且，隔著具有規(guī)定的開(kāi)口圖案的單一掩膜，無(wú)法連續(xù)地對(duì)相移層和遮光層進(jìn)行蝕刻，而需要形成兩次掩膜(抗蝕劑圖案)，導(dǎo)致制造工序數(shù)量增多。因此，存在不能以高量產(chǎn)性來(lái)制造相移掩膜的問(wèn)題。

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2011-13283號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)2006-78953號(hào)公報(bào)

有鑒于此，考慮一種在透明基板表面將相移層、蝕刻終止層以及遮光層按照這種順序進(jìn)行設(shè)置的相移掩膜。若為此種結(jié)構(gòu)，當(dāng)以光刻法來(lái)制造相移掩膜時(shí)，能夠獲得在遮光層形成的圖案的開(kāi)口寬度比相移圖案的開(kāi)口寬度寬的邊緣增強(qiáng)型相移掩膜，也就是當(dāng)俯視觀察相移掩膜時(shí)相移圖案從遮光圖案中露出的邊緣增強(qiáng)型相移掩膜。

然而，存在如下問(wèn)題：在作為邊緣增強(qiáng)型相移掩膜的圖案區(qū)域內(nèi)，雖優(yōu)選如上所述相移圖案從遮光圖案中露出的寬幅形狀，但由于即使在俯視形狀本來(lái)必須同等的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記等部分，開(kāi)口形狀(寬度尺寸)也隨層次而不同，因而不理想。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所涉及的方式是為了解決上述問(wèn)題而提出的，目的在于提供一種在適于以高量產(chǎn)性來(lái)制造邊緣增強(qiáng)型相移掩膜的相移掩膜中，同時(shí)形成圖案區(qū)域中的相移圖案從遮光圖案中露出的寬幅形狀以及遮光區(qū)域中的相移層、蝕刻終止層及遮光層的俯視形狀相等的結(jié)構(gòu)，從而能夠制造出能夠?qū)崿F(xiàn)高精細(xì)處理的相移掩膜的方法。

(1)本發(fā)明所涉及的一個(gè)方式的相移掩膜的特征在于，包括：透明基板；相移層，形成于該透明基板的表面，以Cr為主要成分；蝕刻終止層，形成于離開(kāi)所述透明基板的那一側(cè)的所述相移層表面，以從Ni、Co、Fe、Ti、Si、Al、Nb、Mo、W及Hf中選擇出的至少一種金屬為主要成分；以及遮光層，形成于離開(kāi)所述相移層的那一側(cè)的所述蝕刻終止層上，以Cr為主要成分，所述相移掩膜具有：相移區(qū)域，在所述遮光層上形成的遮光圖案的開(kāi)口寬度被設(shè)定為比在所述相移層上形成的相移圖案的開(kāi)口寬度寬；和遮光區(qū)域，在所述相移層上形成的所述相移圖案的所述開(kāi)口寬度與在所述遮光層上形成的所述遮光圖案的所述開(kāi)口寬度被設(shè)定為相等，在相移區(qū)域和遮光區(qū)域中，蝕刻終止圖案的開(kāi)口寬度被設(shè)定為與遮光圖案的開(kāi)口寬度相同。