[發明專利]高縱橫比結構分析

在審

• 申請號: 201380052272.X
• 申請日: 2013-10-04
• 公開（公告）號: CN104685348A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: S.H.李;S.斯通;J.布萊克伍德;M.施米德特
• 申請（專利權）人: FEI公司
• 主分類號: G01N23/00
• 分類號: G01N23/00;B23K15/08;G01B15/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張凌苗;張懿

1.?一種使用帶電粒子束來使工件上的感興趣區暴露的方法，包括：

離子束以與工件頂表面的第一非法線角度銑削溝槽以使鄰近于感興趣區且相對于工件表面成角度的表面暴露；

在鄰近于感興趣區的暴露表面的一部分上沉積保護層；

離子束以基本上垂直于工件頂表面的角度銑削鄰近于感興趣區的表面的一部分以使感興趣區暴露；以及

通過帶電粒子束成像來觀察感興趣區。

2.?權利要求1的方法，其中，以與工件頂表面的第一非法線角度銑削溝槽包括在工件的具有多個高縱橫比特征的區中銑削溝槽。

3.?權利要求2的方法，其中，所述多個高縱橫比特征是孔。

4.?權利要求3的方法，其中，在鄰近于感興趣區的表面的一部分上沉積保護層包括覆蓋通過銑削通過高縱橫比孔的溝槽而產生的臺階。

5.?權利要求1的方法，還包括基本上垂直于工件頂表面執行后續銑削步驟以使感興趣區的第二表面暴露，并使用帶電粒子束成像來查看第二表面。

6.?權利要求1的方法，還包括執行多個后續銑削步驟以順序地使感興趣區的不同表面暴露并使用帶電粒子束成像來查看每個不同的表面。

7.?權利要求1的方法，其中，以與工件頂表面的第一非法線角度銑削溝槽包括銑削這樣的溝槽，所述溝槽具有與工件表面的法線成5°和50°之間的角度的壁。

8.?權利要求7的方法，其中，銑削溝槽包括銑削這樣的溝槽，所述溝槽具有與工件表面的法線成約18°至約22°的角度的壁。

9.?權利要求1的方法，其中，在鄰近于感興趣區的表面的一部分上沉積保護層包括使用束致沉積。

10.?權利要求9的方法，其中，使用束致沉積包括使用具有大于10?keV的能量的電子的電子束致沉積。

11.?權利要求10的方法，其中，使用電子束致沉積包括使用具有大于20?keV的能量的電子的電子束致沉積。

12.?權利要求1的方法，其中，在鄰近于感興趣區的表面的一部分上沉積保護層包括使用激光致沉積或離子束致沉積來沉積使用保護層。

13.?權利要求1的方法，其中，感興趣區包括3D?NAND結構或3D?DRAM結構的一部分。

14.?一種產生高縱橫比結構的一部分的橫截面以用于觀察的方法，包括：

以與樣本的表面的非法線角度且以與高縱橫比特征的長軸的非法線角度使用聚焦離子束來銑削溝槽；

在高縱橫比特征的所選深度處的溝槽的壁上沉積保護層；

使用帶電粒子束銑削通過保護層且基本上平行于樣本的表面的橫截面以使高縱橫比特征的橫截面暴露；以及

觀察暴露橫截面。

15.?權利要求14的方法，其中，觀察暴露橫截面包括掃描電子顯微術、x射線分析、顯微拉曼或其他方法。

16.?權利要求14的方法，還包括銑削通過平行于第一橫截面的保護層的第二橫截面以使感興趣區的第二橫截面暴露。

17.?權利要求14的方法，還包括順序地使用帶電粒子束銑削通過保護層的橫截面，并且使用電子束來觀察暴露橫截面以形成感興趣區中的特征的一系列橫截面圖像。

18.?權利要求14的方法，其中，使用電子束致沉積包括指引具有大于15?keV的能量的電子。

19.?權利要求14的方法，其中，在溝槽的壁上沉積保護層包括使用束致沉積來沉積保護層。

20.?一種分析工件的第一表面下面的感興趣區的方法，包括：

將離子束朝著工件指引以去除工件的第一表面與感興趣區之間的材料以產生第二表面，第二表面的一部分在感興趣區與第一表面的位置之間；

向第二表面沉積保護層；

指引離子束以通過保護層進行銑削以產生第三表面以用于分析，第三表面穿過感興趣區；以及

通過帶電粒子束成像來觀察感興趣區，第二表面上的保護層充分地接近于感興趣特征，使得感興趣區在沒有簾幕化的情況下被暴露以用于觀察。

21.?權利要求20的方法，其中，第三表面基本上垂直于第一表面。