[發明專利]光電組件

有效

• 申請號: 201380051252.0
• 申請日: 2013-09-27
• 公開（公告）號: CN104718672B
• 公開（公告）日: 2018-09-11
• 發明（設計）人: 保羅·弗思
• 申請（專利權）人: 奧蘭若技術有限公司
• 主分類號: H01S5/024
• 分類號: H01S5/024;H01S5/022
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 孫向民;肖冰濱

本發明涉及一種光電組件。所述光電組件包括一個或多個光電元件和殼體。所述殼體包括電連接至所述一個或多個光電元件的外壁。所述殼體被配置成提供所述一個或多個光電元件與外部電子設備之間的電接口。所述外壁和所述一個或多個光電元件之間的所述電連接包括導電元件。所述導電元件被支撐在介電材料上，以使得所述介電材料為所述一個或多個光電元件和所述外壁之間的所述導電元件提供結構支撐。

技術領域

本發明涉及一種光電組件。特別地，本發明涉及一種在一個或多個光電元件和殼體的外壁之間提供低導熱率的光電組件。

背景技術

在光網絡中，將網絡內的光電設備的光電元件保持在穩定的溫度是理想的。通常，該所需的穩定溫度低于光電設備外部的環境的溫度，因此光電元件需要被冷卻。

例如，高功率光纖網絡激光器封裝通常以高密度被布置在框架中以減少它們占用的空間。這種高密度的布置使得大量的電氣元件靠近放置，從而增加了激光器封裝外部的周邊區域的溫度。通常，該外部溫度可達到85℃甚至更高。

為了確保在激光器封裝內的光電元件的正確運行，這些元件的溫度應該被保持在穩定的水平且遠低于85℃。因此，激光器封裝內的光電元件的溫度要被精確地控制。

控制光電元件的溫度的其中一種方法是使用熱電制冷。熱電冷卻器(TEC)被放置成與光電元件熱連通，并且利用珀爾帖效應(Peltier effect)將熱量從光電元件帶走。為了提供這種功能，TEC需要使用電源。

發明內容

根據本發明的第一個方面，提供了一種光電組件。該光電組件包括：一個或多個光電元件以及殼體。所述殼體包括電連接至所述一個或多個光電元件的外壁。所述殼體被配置成提供所述一個或多個光電元件與外部電子設備之間的電接口。所述外壁和所述一個或多個光電元件之間的所述電連接包括導電元件。所述導電元件被支撐在介電材料上，以使得所述介電材料為所述一個或多個光電元件和所述外壁之間的所述導電元件提供結構支撐。

所述導電元件的厚度可在0.1μm至0.5μm的范圍內。所述導電元件的寬度可在25μm至35μm的范圍內。厚度和寬度的減小將導致導電元件的橫截面的減小，并且意味著沿導電元件傳遞的熱量減小。

可選擇地，所述導電元件的橫截面積在2.5×10^-12m²至1.75×10^-11m²的范圍內。該橫截面積可通過具有任何形狀的橫截面的導電元件來提供。示例性的橫截面是矩形或圓形的。

可選擇地，所述介電材料是柔性的。這使得所述光電元件能夠相對于所述外壁移動，而不會損壞所述導電元件。

可選擇地，所述介電材料包括第一介電層和第二介電層，所述導電元件設置在所述第一介電層和所述第二介電層之間。所述第一層和第二層可被形成為單件的介電材料，以使得所述介電材料可以側向地包圍導電元件。

可選擇地，所述第一介電層和所述第二介電層的每個的厚度在4μm至8μm的范圍內。如果介電材料側向圍繞導電元件，那么介電材料在導電元件的上方和下方的厚度可以在4μm至8μm的范圍內。

可選擇地，所述第一介電層和所述第二介電層的每個的厚度(或者介電材料在導電材料的上方和下方的厚度)在13μm至17μm的范圍內。

可選擇地，所述第一介電層和所述第二介電層的每個的寬度在35μm至55μm的范圍內。

可選擇地，所述介電材料的每側比所述導電元件寬8μm至12μm。如果介電材料側向圍繞導電元件，那么介電材料的導電元件的任一側的厚度可以在8μm至12μm的范圍內。

可選擇地，所述導電元件在所述介電材料上遵循一個間接的路徑。

可選擇地，所述電連接部包括多個導電元件，每個導電元件被布置所述介電材料上。