[發(fā)明專(zhuān)利]導(dǎo)電性材料及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380049266.9
• 申請(qǐng)日: 2013-09-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104662198B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 深澤憲正;梶井智代;佐野義之;關(guān)根信博;清岡隆一
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: DIC株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): C23C18/30
• 分類(lèi)號(hào): C23C18/30
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇,李茂家

1.一種導(dǎo)電性材料的制造方法，其特征在于，具有下述工序：

(1)在絕緣性基材(A)上涂布分散液(B)，形成非導(dǎo)電性層(C)的工序，所述分散液(B)含有0.5質(zhì)量％以上的被具有氮原子、硫原子、磷原子或氧原子的化合物(b1)保護(hù)的選自由金、銀、銅及鉑組成的組中的1種以上的金屬微粒(b2)；

(2)對(duì)(1)中得到的具有非導(dǎo)電性層(C)的基材進(jìn)行化學(xué)鍍，形成導(dǎo)電層(D)的工序，

所述化合物(b1)為具有聚乙烯亞胺嵌段和聚乙二醇嵌段的化合物(P1)、下述的(甲基)丙烯酸類(lèi)聚合物(P2)、或下述通式(1)表示的含硫醚有機(jī)化合物(P3)，

所述(甲基)丙烯酸類(lèi)聚合物(P2)是使具有聚乙二醇鏈的(甲基)丙烯酸酯類(lèi)大分子單體與具有-OP(O)(OH)₂表示的磷酸酯殘基的(甲基)丙烯酸酯類(lèi)單體在具有-SR表示的官能團(tuán)的鏈轉(zhuǎn)移劑的存在下聚合而得到的，其中，-SR中，R為碳數(shù)1～18的烷基、可以在苯環(huán)上具有取代基的苯基、或具有如下的官能團(tuán)的碳數(shù)1～8的烷基，

所述官能團(tuán)為選自由羥基、碳數(shù)1～18的烷氧基、碳數(shù)1～18的芳烷基氧基、可以在苯環(huán)上具有取代基的苯氧基、羧基、羧基的鹽、碳數(shù)1～18的1價(jià)或多價(jià)的烷基羰基氧基及碳數(shù)1～18的1價(jià)或多價(jià)的烷氧基羰基組成的組中的1個(gè)以上的官能團(tuán)，

X-(OCH₂CHR¹)_n-O-CH₂-CH(OH)-CH₂-S-Z (1)

式(1)中，X為C₁～C₈的烷基，R¹為氫原子或甲基，n為表示2～100的重復(fù)數(shù)的整數(shù)，R¹在每個(gè)重復(fù)單元中是獨(dú)立的，可以相同也可以不同，Z為C₂～C₁₂的烷基、烯丙基、芳基、芳烷基、-R²-OH、-R²-NHR³、或-R²-COR⁴表示的基團(tuán)，其中，R²為C₂～C₄的亞烷基鏈，R³為氫原子、C₂～C₄的酰基、C₂～C₄的烷氧基羰基、或可以在芳香環(huán)上具有C₁～C₄的烷基或C₁～C₈的烷氧基作為取代基的芐氧基羰基，R⁴為羥基、C₁～C₄的烷基或C₁～C₈的烷氧基。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性材料的制造方法，其中，還具有如下工序：

(3)對(duì)(2)中得到的具有導(dǎo)電層(D)的基材進(jìn)行電鍍，在導(dǎo)電層(D)上形成金屬導(dǎo)電層(E)的工序。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性材料的制造方法，其中，絕緣性基材(A)為將聚酰亞胺樹(shù)脂、液晶聚合物或玻璃環(huán)氧樹(shù)脂成型而得到的基材。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的導(dǎo)電性材料的制造方法，其特征在于，絕緣性基材(A)為薄膜、薄片、或板狀的基材。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的導(dǎo)電性材料的制造方法，其特征在于，薄膜、薄片、或板狀的絕緣性基材(A)具有連接其表面和背面的貫穿孔。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性材料的制造方法，其特征在于，所述化合物(b1)的數(shù)均分子量為3000～50000的范圍。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性材料的制造方法，其中，所述化合物(b1)在1分子中包含氮原子、硫原子、磷原子、或氧原子的2種以上的原子。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性材料的制造方法，其中，所述化合物(b1)為具有氨基、羧基、羥基、巰基、磷酸基、季銨基、季鏻基、氰基、醚基、硫醚基或二硫基的化合物。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性材料的制造方法，其中，所述金屬微粒的平均粒徑為1～200nm的范圍。