[發(fā)明專利]用于麥克風(fēng)和超低壓力傳感器的有缺陷制造的測(cè)試

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380047789.X
• 申請(qǐng)日: 2013-09-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104620606B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: A·J·多勒;M·J·戴利
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號(hào): H04R29/00
• 分類號(hào): H04R29/00;B81C99/00;G01L27/00;G01M3/02;H01L21/66
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司72002
• 代理人: 郭毅

相關(guān)申請(qǐng)

本發(fā)明要求獲得于2012年9月14日提交的、標(biāo)題為“TESTING FOR DEFECTIVE MANUFACTURING OF MICROPHONES AND ULTRALOW PRESSURE SENSORS”的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)?zhí)?1/701,001的權(quán)益，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用的方式并入本申請(qǐng)。

背景技術(shù)

本發(fā)明用于探測(cè)已組裝的麥克風(fēng)或者超低壓力轉(zhuǎn)換器的制造缺陷。

發(fā)明內(nèi)容

在一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明提供一種用于測(cè)試MEMS壓力傳感器裝置——例如MEMS麥克風(fēng)封裝的方法。MEMS壓力傳感器裝置包括定位在殼體內(nèi)的壓力傳感器和用于將聲壓從殼體外部朝向壓力傳感器引導(dǎo)的壓力入口。激活聲壓源并且將來(lái)自聲壓源的聲壓引導(dǎo)到壓力入口并且引導(dǎo)到殼體的除壓力入口以外的外部位置。根據(jù)壓力傳感器的輸出信號(hào)確定是否存在一些允許聲壓通過(guò)殼體外部在除壓力入口以外的位置處到達(dá)壓力傳感器的缺陷。

本發(fā)明的其他方面在考慮詳細(xì)描述和附圖的情況下是顯而易見(jiàn)的。

附圖說(shuō)明

圖1是用于正確制造的麥克風(fēng)的測(cè)試裝置的示意圖。

圖2是用于有缺陷的麥克風(fēng)的圖1中的測(cè)試裝置的示意圖。

圖3是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例使用一個(gè)腔室和一個(gè)聲源的用于有缺陷的麥克風(fēng)的另一測(cè)試裝置的示意圖。

圖4是根據(jù)另一實(shí)施例使用兩個(gè)腔室和兩個(gè)聲源的用于有缺陷的麥克風(fēng)的測(cè)試裝置的示意圖。

圖5是根據(jù)另一實(shí)施例使用一個(gè)腔室和兩個(gè)聲源的用于有缺陷的麥克風(fēng)的測(cè)試裝置的示意圖。

圖6是根據(jù)另一實(shí)施例使用兩個(gè)部分的用于有缺陷的麥克風(fēng)的測(cè)試裝置的示意圖，所述兩個(gè)部分構(gòu)成一個(gè)測(cè)試腔室和一個(gè)揚(yáng)聲器。

圖7是圖6的測(cè)試裝置的橫截圖。

圖8是在升高的且沒(méi)有激活的位置處具有用作第二聲源的揚(yáng)聲器陣列的圖5的測(cè)試裝置的透視圖。

圖9是在降低的且激活的位置處具有揚(yáng)聲器陣列的在圖5中示出的測(cè)試裝置的透視圖。

圖10是示出在使用圖3-6的測(cè)試裝置中的至少一個(gè)時(shí)的測(cè)試過(guò)程的流程圖。

圖11是麥克風(fēng)靈敏度在一個(gè)音頻范圍上的示圖，其示出圖1、2和5的測(cè)試裝置在使用圖10的測(cè)試過(guò)程的情況下的輸出測(cè)試。

具體實(shí)施方式

在詳細(xì)闡述本發(fā)明的任何實(shí)施例之前，要理解的是，本發(fā)明不局限于其應(yīng)用于以下描述中所闡述的或者以下附圖中所示出的結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)和元件布置。本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)其他實(shí)施例并且能夠以多種方式實(shí)現(xiàn)或者實(shí)施。

圖1示出用于測(cè)試MEMS壓力傳感器裝置107的輸出的測(cè)試裝置的第一示例，所述MEMS壓力傳感器裝置稱作被測(cè)器件(device under test：DUT)。揚(yáng)聲器101位于腔室103的一個(gè)端部處，并且揚(yáng)聲器101定位成將測(cè)試聲發(fā)射到腔室103中。直箭頭指示從揚(yáng)聲器101到DUT 107的壓力入口104的聲學(xué)路徑。襯墊105定位在腔室103和DUT 107的蓋109之間，以便限定并且在聲學(xué)上隔離聲學(xué)路徑。在其他結(jié)構(gòu)中，在不使用襯墊的情況下在腔室和蓋109之間形成密封。DUT 107包括基座113。在一些結(jié)構(gòu)中，基座由硅襯底構(gòu)成并且可以包括一個(gè)或多個(gè)電路元件。在圖1的示例中，基座113是具有位于其上的轉(zhuǎn)換器111的襯底。蓋109施加到基座113上以構(gòu)成包圍轉(zhuǎn)換器111的殼體。蓋109保護(hù)轉(zhuǎn)換器111并且防止聲在除壓力入口104以外的位置處進(jìn)入殼體并且防止影響轉(zhuǎn)換器111的運(yùn)行。圖1的測(cè)試裝置主要用于測(cè)試轉(zhuǎn)換器111的性能。其不提供殼體或接縫質(zhì)量的評(píng)估，在所述接縫處蓋109施加到基座113上。

圖2示出當(dāng)測(cè)試在蓋中具有制造缺陷的MEMS壓力傳感器裝置時(shí)圖1中的測(cè)試裝置的局限。在圖2中所描述的測(cè)試裝置具有與在圖1中所示出的測(cè)試裝置相同的配置。揚(yáng)聲器201位于腔室203的一個(gè)端部處，并且揚(yáng)聲器201定位成將測(cè)試聲發(fā)射到腔室203中。直箭頭指示從揚(yáng)聲器201到DUT 207的壓力入口204的聲學(xué)路徑。襯墊205定位在DUT 207的腔室203和蓋209之間，以便限定并且在聲學(xué)上隔離聲學(xué)路徑。DUT 207包括基座213、位于基座213上的轉(zhuǎn)換器211和施加到基座213上并且包圍轉(zhuǎn)換器211的蓋209。