[發明專利]等離子體處理方法和等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 201380045527.X
• 申請日: 2013-08-27
• 公開（公告）號: CN104603917B
• 公開（公告）日: 2018-04-17
• 發明（設計）人: 原田彰俊;林彥廷;陳智軒;謝如嘉;米田滋
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/28;H01L21/768
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇,李茂家

1.一種等離子體處理方法，其特征在于，其為等離子體處理裝置中的等離子體處理方法，其包括：

第1工序：向等離子體處理空間供給含氟氣體并生成等離子體，使用所述含氟氣體的等離子體對在硅化鎳膜的表面形成有氧化硅膜和氮化硅膜的至少一種的被處理基板進行蝕刻；

第2工序：向所述等離子體處理空間供給含氫氣體并生成等離子體，使用所述含氫氣體的等離子體對所述第1工序后附著于使表面面向所述等離子體處理空間而配置的部件的含鎳物進行還原；和

第3工序：向所述等離子體處理空間供給CO₂并生成等離子體，使用所述CO₂的等離子體將所述含鎳物通過所述第2工序而被還原得到的鎳以Ni(CO)₄氣體的形式去除，

通過進行所述第2工序和第3工序，將表面面向所述等離子體處理空間而配置的部件上的含鎳物膜去除，抑制所述被處理基板的Vpp的變動。

2.根據權利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于，至少重復2次實施所述第2工序和所述第3工序。

3.根據權利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于，所述第2工序用所述含氫氣體和含氮氣體進行。

4.根據權利要求3所述的等離子體處理方法，其特征在于，所述含氮氣體為N₂氣體、NH₃氣體和N₂H₂氣體中至少一種氣體。

5.根據權利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于，所述含氫氣體為H₂氣體、CH₃F氣體、CH₂F₂氣體、CHF₃氣體、NH₃氣體和N₂H₂氣體中至少一種氣體。

6.一種等離子體處理裝置，其特征在于，其具備：

劃定等離子體處理空間的處理容器，所述等離子體處理空間中配置有在硅化鎳膜的表面形成有氧化硅膜和氮化硅膜的至少一種的被處理基板；

向所述等離子體處理空間供給含氟氣體的第1氣體供給部；

向所述等離子體處理空間供給含氫氣體的第2氣體供給部；

向所述等離子體處理空間供給CO₂的第3氣體供給部；和

控制部，所述控制部實施以下工序：第1工序：由所述第1氣體供給部向所述等離子體處理空間供給所述含氟氣體并生成等離子體，使用所述含氟氣體的等離子體對所述被處理基板進行蝕刻；第2工序：由所述第2氣體供給部向所述等離子體處理空間供給所述含氫氣體并生成等離子體，使用所述含氫氣體的等離子體對所述第1工序后附著于表面面向所述等離子體處理空間而配置的部件的含鎳物進行還原；和第3工序：由所述第3氣體供給部向所述等離子體處理空間供給所述CO₂并生成等離子體，使用所述CO₂的等離子體將所述含鎳物通過所述第2工序而被還原得到的鎳以Ni(CO)₄氣體的形式去除；通過進行所述第2工序和第3工序，將表面面向所述等離子體處理空間而配置的部件上的含鎳物膜去除，抑制所述被處理基板的Vpp的變動。

7.一種等離子體處理裝置中的等離子體處理方法，其包括：

第1工序：在所述等離子體處理裝置的等離子體處理空間中，形成硅化鎳膜，在所述硅化鎳膜表面形成氧化硅膜和氮化硅膜的至少一種，向所述等離子體處理空間供給含氟氣體并生成所述含氟氣體的等離子體，使用所述等離子體對氧化硅膜和氮化硅膜的至少一種的被處理基板進行蝕刻；

(a)工序：通過所述第1工序，由于表面面向所述等離子體處理空間而配置的部件上附著含鎳物，從而所述被處理基板的Vpp變動，向所述等離子體處理空間供給含氫氣體并生成含氫氣體的等離子體，使用所述含氫氣體的等離子體對所述部件上的含鎳膜進行還原；

(b)工序：向所述等離子體處理空間供給CO₂并生成CO₂的等離子體，使用所述CO₂的等離子體將所述含鎳物進行還原得到的鎳以Ni(CO)₄氣體的形式去除，進而將所述部件上的含鎳膜去除；和

通過將所述部件上的含鎳物去除，從而恢復或抑制所述被處理基板的Vpp變動的工序。