[發明專利]基板處理裝置

有效

• 申請號: 201380045392.7
• 申請日: 2013-08-23
• 公開（公告）號: CN104718602B
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 梁日光;宋炳奎;金勁勛;金龍基;申良湜
• 申請（專利權）人: 株式會社EUGENE科技
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 呂俊剛,劉久亮

1.一種基板處理裝置，所述基板處理裝置包括：

主腔室，其具有下部安裝空間和敞口頂部，所述下部安裝空間從所述主腔室的底部表面凹進；

基座，其設置在所述主腔室的所述下部安裝空間中，以使得基板能夠被放置在所述基座上；

腔室蓋，其設置在所述主腔室的所述敞口頂部上，所述腔室蓋包括形成在所述腔室蓋的中心部的上部安裝空間和設置在與所述上部安裝空間分隔開的所述腔室蓋的邊緣部中的氣體供應通道；

加熱塊，其設置在所述上部安裝空間中，以加熱所述基板；以及

氣體供應口，其連接到所述氣體供應通道，以將處理氣體供應到所述主腔室中，

其中，所述氣體供應通道朝向所述主腔室的所述底部表面開口，以向所述主腔室的所述底部表面噴射經由所述氣體供應口供應的所述處理氣體，其中，所述處理氣體與所述主腔室的所述底部表面碰撞以使所述處理氣體被擴散和散射。

2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，所述基板處理裝置還包括：

在所述主腔室的側部中限定的通道，使得所述基板通過所述通道被裝載或卸載，以及

輔助氣體噴嘴，所述輔助氣體噴嘴設置在所述通道的側部上，從而與所述基座相鄰，以噴射惰性氣體。

3.根據權利要求1所述的基板處理裝置，所述基板處理裝置還包括擴散板，所述擴散板設置在所述氣體供應通道的下端部上，以擴散通過所述氣體供應口供應的所述處理氣體。

4.根據權利要求3所述的基板處理裝置，其中，所述氣體供應通道和所述擴散板中的每一個具有與所述基座同心的圓弧形狀，所述氣體供應通道和所述擴散板中的每一個具有與所述基板的直徑大體上相等的寬度。

5.根據權利要求3所述的基板處理裝置，所述基板處理裝置還包括：噴嘴環，所述噴嘴環設置在所述下部安裝空間中以圍繞所述基座，所述噴嘴環向上噴射惰性氣體。

6.根據權利要求1所述的基板處理裝置，所述基板處理裝置還包括：

排氣通道，所述排氣通道限定在與所述氣體供應通道相對的側部中，以及

流動導向件，所述流動導向件設置在所述基座的外部，以引導從所述氣體供應通道供應的所述處理氣體朝向所述排氣通道。

7.根據權利要求6所述的基板處理裝置，其中，所述流動導向件包括：

圓形導向部件，其具有與所述基座同心的圓弧形狀，所述圓形導向部件具有多個導向孔，所述處理氣體經過所述多個導向孔；以及

多個直線導向部件，其分別連接到所述圓形導向部件的兩個側部并且設置在所述基座的兩個側部上，所述直線導向部件中的每一個具有與將所述氣體供應通道的中心連接到所述排氣通道的中心的直線大體上平行的導向表面。