[發明專利]用于沉積氮化鋁層的方法

在審

• 申請號: 201380045033.1
• 申請日: 2013-08-29
• 公開（公告）號: CN104583468A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 洛倫佐·卡斯塔爾迪;馬丁·克拉策;海因茨·費爾澤;小羅伯特·馬馬扎;貝恩德·亨氏
• 申請（專利權）人: 歐瑞康高級技術股份公司
• 主分類號: C30B23/02
• 分類號: C30B23/02;C30B29/40;H01L21/02
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 王占杰

1.一種用于在硅基底上沉積氮化鋁層的方法，所述方法包括：

提供硅基底；

將基底放置在真空室中；

通過蝕刻對基底的表面進行調整，并提供調整的表面；

將基底加熱到溫度T₁；

在氬的氣氛下通過濺射法向基底的調整的表面上沉積鋁膜；以及

在氮和氬的氣氛下通過濺射法在鋁膜上沉積外延的氮化鋁層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，對基底的表面進行調整的步驟包括：在真空下對表面進行等離子體軟蝕刻。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，等離子體軟蝕刻的步驟包括：將基底加熱到溫度T₂；向真空室中引入氬氣；以及使基底的表面經受等離子體。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，T₂為35℃至70℃。

5.根據權利要求2至4中的一項權利要求所述的方法，其中，利用包括Ar⁺離子的RF等離子體在2×10^-4mbar至8×10^-4mbar的壓力下執行等離子體軟蝕刻。

6.根據權利要求2至5中的一項權利要求所述的方法，其中，T₂＜T₁。

7.根據權利要求2至6中的一項權利要求所述的方法，其中，提供硅基底的步驟包括：提供<111>硅基底。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，對基底的表面進行調整的步驟包括：對表面進行化學蝕刻。

9.根據權利要求1至8中的一項權利要求所述的方法，其中，蝕刻步驟包括：從基底優先地去除化學鍵合的氧。

10.根據權利要求1至9中的一項權利要求所述的方法，其中，在沉積鋁膜之后，表面主要是Al封端的。

11.根據權利要求1至10中的一項權利要求所述的方法，所述方法還包括：在調整之后，使調整的表面在真空室中經受包含氫的氣體流。

12.根據權利要求1至8中的一項權利要求所述的方法，其中，T₁在650℃至800℃的范圍內。

13.根據權利要求1至12中的一項權利要求所述的方法，所述方法還包括：在將基底加熱到溫度T₁的同時，使氬氣在基底上方流動。

14.根據權利要求1至13中的一項權利要求所述的方法，其中，在第一真空室中執行調整，在第二真空室中執行沉積。

15.根據權利要求1至14中的一項權利要求所述的方法，所述方法還包括：在調整之后，降低真空室中的壓力。

16.根據權利要求1至15中的一項權利要求所述的方法，其中，通過反應濺射向基底的調整的表面上沉積氮化鋁膜。

17.根據權利要求16所述的方法，其中，使用大約100W的DC功率向調整的表面上濺射鋁膜。

18.根據權利要求1至17中的一項權利要求所述的方法，其中，通過反應濺射向鋁膜上沉積氮化鋁層。

19.根據權利要求18所述的方法，其中，使用大約1.0kW至3kW的DC功率向鋁膜上濺射氮化鋁層。

20.根據權利要求1至19中的一項權利要求所述的方法，所述方法還包括：在沉積氮化鋁層之后，主動冷卻基底。