[發明專利]機電系統裝置

有效

• 申請號: 201380044612.4
• 申請日: 2013-08-08
• 公開（公告）號: CN104583838A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 愛德華·K·陳;文兵;金天弘;約翰·H·洪
• 申請（專利權）人: 高通MEMS科技公司
• 主分類號: G02B26/00
• 分類號: G02B26/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

1.一種裝置，其包括：

襯底結構，其具有固定電極；

可移動元件，其經配置以在大體上垂直于所述襯底的方向上移動，所述可移動元件包含第一導電層及第二導電層，所述第一和第二導電層形成存儲電容器；及

至少一個開關，其經配置以控制源極與所述存儲電容器之間的電荷流。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中所述裝置經配置以使得所述存儲電容器電耦合到所述可移動元件且至少在所述可移動元件被激活時將電壓提供給所述可移動元件。

3.根據權利要求2所述的裝置，其進一步包括安置在所述可移動元件與所述襯底結構之間的光學堆疊，所述光學堆疊包含部分反射及部分透射層。

4.根據權利要求3所述的裝置，其中所述光學堆疊及所述可移動元件形成干涉式調制器IMOD顯示元件。

5.根據權利要求1到4中任一權利要求所述的裝置，其中所述至少一個開關包含薄膜晶體管。

6.根據權利要求5所述的裝置，其中所述第二導電層連接到所述薄膜晶體管的漏極及所述固定電極。

7.根據權利要求1到6中任一權利要求所述的裝置，其中所述可移動元件包含安置在所述第一導電層與所述第二導電層之間的電介質層。

8.根據權利要求7所述的裝置，其中所述電介質層包含氮氧化硅。

9.根據權利要求8所述的裝置，其中所述電介質層具有在20nm與4000nm之間的厚度尺寸。

10.根據權利要求1到9中任一權利要求所述的裝置，其中所述第一導電層連接到電接地。

11.根據權利要求1到10中任一權利要求所述的裝置，其中所述可移動元件經配置以響應于在所述固定電極與所述第一導電層之間施加的電壓差而移動。

12.根據權利要求1到11中任一權利要求所述的裝置，其進一步包括：

顯示器，其中所述顯示器包含所述可移動元件；

處理器，其經配置以與所述顯示器通信，所述處理器經配置以處理圖像數據；及存儲器裝置，其經配置以與所述處理器通信。

13.根據權利要求12所述的裝置，其進一步包括驅動器電路，所述驅動器電路經配置以將至少一個信號發送到所述可移動元件且發送信號以啟用所述至少一個開關。

14.根據權利要求13所述的裝置，其進一步包括控制器，所述控制器經配置以將所述圖像數據的至少一部分發送到所述驅動器電路。

15.根據權利要求14所述的裝置，其進一步包括經配置以將所述圖像數據發送到所述處理器的圖像源模塊。

16.根據權利要求13到15中任一權利要求所述的裝置，其進一步包括經配置以接收輸入數據且將所述輸入數據傳送到所述處理器的輸入裝置。

17.一種形成裝置的方法，所述方法包括：

形成襯底結構；

形成可移動元件，所述可移動元件經配置以在大體上垂直于所述襯底結構的方向上移動，所述可移動元件包含第一導電層及第二導電層，所述第一和第二導電層形成存儲電容器；及

形成至少一個開關，所述開關經配置以控制源極與所述存儲電容器之間的電荷流。

18.根據權利要求17所述的方法，其進一步包括形成光學堆疊，所述光學堆疊安置在所述可移動元件與所述襯底結構之間。

19.根據權利要求17或18所述的方法，其中形成所述至少一個開關包含形成薄膜晶體管。

20.一種顯示裝置，其包括：

機電系統，其包含

襯底結構，及

顯示元件，其包含用于存儲電荷及用于反射光的可移動裝置，所述光反射電荷存儲裝置經配置以在大體上垂直于所述襯底結構的方向上被驅動到至少第一經激活位置及經松弛位置，且所述光反射電荷存儲裝置進一步經配置以在所述可移動裝置正被激活時將電壓提供給所述可移動裝置的至少一個導電層；及

用于控制源極與所述存儲電容器之間的電荷流的裝置。