[發明專利]薄膜晶體管和顯示裝置

有效

• 申請號: 201380044372.8
• 申請日: 2013-08-30
• 公開（公告）號: CN104584200B
• 公開（公告）日: 2017-10-13
• 發明（設計）人: 三木綾;森田晉也;后藤裕史;田尾博昭;釘宮敏洋
• 申請（專利權）人: 株式會社神戶制鋼所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/316;H01L29/786
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 雒運樸

1.一種應力耐受性優異的薄膜晶體管，其特征在于，其具備柵電極、用于溝道層的兩層以上的氧化物半導體層、用于保護氧化物半導體層的表面的蝕刻阻擋層、源-漏電極和配置在柵電極與溝道層之間的柵極絕緣膜，其中，

在構成與所述柵極絕緣膜直接接觸的所述氧化物半導體層的金屬元素由In、Zn和Sn構成時，將各金屬元素相對于除去氧的全部金屬元素的原子百分比含量分別設為[In]、[Zn]和[Sn]時，滿足15≤[In]≤35，50≤[Zn]≤60，15≤[Sn]≤30的關系，

在構成與所述源-漏電極直接接觸的所述氧化物半導體層的金屬元素由In、Zn、Sn和Ga構成時，將各金屬元素相對于除去氧的全部金屬元素的原子百分比含量分別設為[In]、[Zn]、[Sn]和[Ga]時，滿足10≤[In]≤20，30≤[Zn]≤40，5≤[Sn]≤15，35≤[Ga]≤50的關系，

并且，與所述氧化物半導體層直接接觸的所述柵極絕緣膜是硅氧化膜，其中的氫濃度被控制在4原子％以下。

2.根據權利要求1所述的應力耐受性優異的薄膜晶體管，其中，

所述柵極絕緣膜具有單層結構或兩層以上的層疊結構，

在具有所述層疊結構的情況下，與所述氧化物半導體層直接接觸的層中的氫濃度被控制在4原子％以下。

3.一種顯示裝置，其具備權利要求1或2所述的薄膜晶體管。