[發明專利]電子部件封裝件及其制造方法

無效

• 申請號: 201380043802.4
• 申請日: 2013-12-20
• 公開（公告）號: CN104603932A
• 公開（公告）日: 2015-05-06
• 發明（設計）人: 川北晃司;中谷誠一;澤田享;山下嘉久
• 申請（專利權）人: 松下知識產權經營株式會社
• 主分類號: H01L23/12
• 分類號: H01L23/12;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 韓聰

1.一種電子部件封裝件的制造方法，用于制造電子部件封裝件，在所述制造方法中，

形成將電子部件埋設于密封樹脂層并使得該電子部件的電極從該密封樹脂層的表面露出的封裝件前體，

將如下工序進行組合來實施，由此得到階梯狀的金屬鍍敷層，所述工序包括：對所述封裝件前體逐次實施干式以及濕式的鍍敷處理法來形成多個金屬鍍敷層的工序；和對該多個金屬鍍敷層的至少2個實施圖案形成處理的工序。

2.根據權利要求1所述的電子部件封裝件的制造方法，其特征在于，

將在先行的一方的所述圖案形成處理后形成的所述金屬鍍敷層、或者被賦予了先行的一方的所述圖案形成處理的所述金屬鍍敷層，在后續的另一方的所述圖案形成處理時所進行的蝕刻中作為蝕刻阻止構件來利用。

3.根據權利要求1所述的電子部件封裝件的制造方法，其特征在于，

所述階梯狀的金屬鍍敷層的形成包括如下工序：

(i)對所述電極露出的所述密封樹脂層的主面整個面地實施干式鍍敷法來形成第1金屬鍍敷層的工序；

(ii)對所述第1金屬鍍敷層的主面整個面地實施濕式鍍敷法來形成第2金屬鍍敷層的工序；

(iii)對所述第2金屬鍍敷層實施圖案形成處理，形成使所述第1金屬鍍敷層局部地露出的金屬鍍敷圖案層A的工序；

(iv)對所述金屬鍍敷圖案層A以及所述局部地露出的所述第1金屬鍍敷層整個面地實施干式鍍敷法或濕式鍍敷法來形成第3金屬鍍敷層的工序；

(v)對所述第3金屬鍍敷層的主面整個面地實施濕式鍍敷法來形成第4金屬鍍敷層的工序；

(vi)對所述第4金屬鍍敷層實施圖案形成處理，形成使所述第3金屬鍍敷層局部地露出的金屬鍍敷圖案層B的工序；以及

(vii)將所述露出的所述第3金屬鍍敷層以及位于其正下方的局部的所述第1金屬鍍敷層除去的工序。

4.根據權利要求3所述的電子部件封裝件的制造方法，其特征在于，

在所述工序(vi)的所述金屬鍍敷圖案層B的形成時所實施的蝕刻中，將通過所述工序(iv)而形成的所述第3金屬鍍敷層作為該蝕刻的阻止構件來使用。

5.根據權利要求1所述的電子部件封裝件的制造方法，其特征在于，

所述階梯狀的金屬鍍敷層的形成包括如下工序：

(i)’對所述電極露出的所述密封樹脂層的主面整個面地實施干式鍍敷法來形成第1金屬鍍敷層的工序；

(ii)’對所述第1金屬鍍敷層的主面整個面地實施濕式鍍敷法來形成第2金屬鍍敷層的工序；

(iii)’對所述第2金屬鍍敷層的主面整個面地實施干式鍍敷法或濕式鍍敷法來形成第3金屬鍍敷層的工序；

(iv)’對所述第3金屬鍍敷層實施圖案形成處理，形成使所述第2金屬鍍敷層局部地露出的金屬鍍敷圖案層A’的工序；

(v)’對所述金屬鍍敷圖案層A’以及所述局部地露出的所述第2金屬鍍敷層整個面地實施濕式鍍敷法來形成第4金屬鍍敷層的工序；

(vi)’對所述第4金屬鍍敷層實施圖案形成處理，形成使所述第1金屬鍍敷層以及第3金屬鍍敷層局部地露出的金屬鍍敷圖案層B’的工序；以及

(vii)’將所述露出的所述第1金屬鍍敷層以及所述第3金屬鍍敷層除去的工序。

6.根據權利要求5所述的電子部件封裝件的制造方法，其特征在于，

在所述工序(vi)’的所述金屬鍍敷圖案層B的形成時所實施的蝕刻中，將通過所述工序(iv)’而形成的所述第3金屬鍍敷層的所述金屬鍍敷圖案層A’作為該蝕刻的阻止構件來使用。

7.根據權利要求3所述的電子部件封裝件的制造方法，其特征在于，

在所述工序(vii)的所述除去時，使用雖然對于所述第1金屬鍍敷層以及所述第3金屬鍍敷層具有溶解除去作用、但是對于所述第2金屬鍍敷層以及所述第4金屬鍍敷層不具有溶解除去作用的蝕刻劑。

8.根據權利要求1所述的電子部件封裝件的制造方法，其特征在于，

作為所述干式鍍敷法而實施濺射，另一方面，作為所述濕式鍍敷法而實施電鍍。