[發明專利]氮化鋁基板及III族氮化物層疊體在審
| 申請號： | 201380041307.X | 申請日： | 2013-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN104583470A | 公開（公告）日： | 2015-04-29 |
| 發明（設計）人： | 弘中啟一郎;木下亨 | 申請（專利權）人： | 株式會社德山 |
| 主分類號： | C30B29/38 | 分類號： | C30B29/38;C30B25/20;H01L21/205;H01L33/32;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 呂琳;劉明海 |
| 地址： | 日本山口*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化 鋁基板 iii 氮化物 層疊 | ||
1.一種氮化鋁基板，是由氮化鋁構成的基板，其特征在于，
至少在表面具有以相對于纖鋅礦結構的(0001)面在0.05°以上0.40°以下的范圍內向m軸方向傾斜的面作為主面的氮化鋁單晶層。
2.根據權利要求1所述的氮化鋁基板，其特征在于，
所述主面相對于纖鋅礦結構的(0001)面在0.00°以上0.40°以下的范圍內向a軸方向傾斜。
3.一種III族氮化物層疊體，其特征在于，
在權利要求1或2所述的氮化鋁基板的氮化鋁單晶層的主面上，具有滿足以Al1－(x+y+z)GaxInyBzN表示的組成的AlGaInBN層，其中，x、y及z各自獨立地為0以上且小于0.5的有理數，x、y及z的和小于0.5。
4.根據權利要求3所述的III族氮化物層疊體，其特征在于，
具有如下組成的AlGaInBN層，即，在所述Al1－(x+y+z)GaxInyBzN中，x為大于0且小于0.5的有理數，y及z為0以上且小于0.5的有理數，x、y及z的和大于0且小于0.5，
在該AlGaInBN層的300K下的光致發光測定中，在4.56eV以上且小于5.96eV觀測到能帶端發光峰，該發光峰的半值寬度為225meV以下。
5.根據權利要求3所述的III族氮化物層疊體，其特征在于，
在所述氮化鋁單晶層的主面上，直接層疊AlN層，在所述Al1－(x+y+z)GaxInyBzN中，x、y及z為0，
在該AlN層的300K下的光致發光測定中，該AlN晶體的能帶端發光峰的半值寬度為145meV以下，
該AlN層的表面粗糙度(Ra)為0.2nm以下。
6.一種III族氮化物半導體元件，其至少具有權利要求3～5中任一項所述的III族氮化物層疊體中的氮化鋁單晶層、以及所述AlGaInBN層部分。
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