[發明專利]電阻變化存儲器元件

在審

• 申請號: 201380040723.8
• 申請日: 2013-08-11
• 公開（公告）號: CN104520991A
• 公開（公告）日: 2015-04-15
• 發明（設計）人: 兒子精祐;勝滿德;佐藤正幸;笹島裕一
• 申請（專利權）人: 太陽誘電株式會社
• 主分類號: H01L27/105
• 分類號: H01L27/105;H01L45/00;H01L49/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287
• 代理人: 路勇

1.一種電阻變化存儲器元件，其包括：

電阻變化絕緣膜；

源極電極，其配置在所述電阻變化絕緣膜的第1主面上；

漏極電極，其配置在所述第1主面上；及

柵極電極，其配置在與所述第1主面上相向的所述電阻變化絕緣膜的第2主面上。

2.根據權利要求1所述的電阻變化存儲器元件，其特征在于：在所述源極電極與所述漏極電極之間具有絕緣膜。

3.根據權利要求1或2所述的電阻變化存儲器元件，其特征在于：使所述柵極電極的電位高于所述源極電極及所述漏極電極的電位而進行刪除動作。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的電阻變化存儲器元件，其特征在于：與所述電阻變化絕緣膜的積層方向正交地配置所述源極電極與所述漏極電極。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的電阻變化存儲器元件，其特征在于：將具有2×10²¹cm^-3以上的氧空位(Vo)的鋁氧化膜、或過渡金屬以外的金屬氧化膜用作所述電阻變化絕緣膜。

6.根據權利要求5所述的電阻變化存儲器元件，其特征在于：所述過渡金屬為Zn、In、Ga。