[發明專利]用于使半導體材料與接觸層片接觸的方法

有效

• 申請號: 201380039266.0
• 申請日: 2013-06-04
• 公開（公告）號: CN104471681B
• 公開（公告）日: 2018-04-24
• 發明（設計）人: T.聚納
• 申請（專利權）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L29/16;H01L29/45
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 盧江,胡莉莉

1.用于使半導體材料與接觸層片接觸的方法，其中所述半導體材料具有碳化硅，所述方法包括下述方法步驟：

a）將接觸層片施加到所述半導體材料上，其中所述接觸層片包括氧化鎳，使得所述半導體材料與氧化鎳直接接觸；和

b）以升高的溫度處理至少所述接觸層片和所述半導體材料之間的界面，使得所述接觸層片的氧化鎳的至少一部分與碳化硅反應成硅化鎳。

2.根據權利要求1所述的方法，其中在方法步驟a）中，通過氧化鎳的陰極濺射，執行將接觸層片施加到所述半導體材料上。

3.根據權利要求1所述的方法，其中在方法步驟a）中，通過氧化鎳和鎳的陰極濺射，執行將接觸層片施加到所述半導體材料上。

4.根據權利要求1所述的方法，其中在方法步驟a）中，將由鎳和氧化鎳組成的混合物通過下述方法步驟施加到所述半導體材料上：

a1）將包括鎳的層施加到所述半導體材料上；和

a2）將在方法步驟a1）中施加的鎳至少部分地氧化。

5.根據權利要求4所述的方法，其中在方法步驟a1）中，通過陰極濺射或者通過蒸鍍，執行將包括鎳的層施加到所述半導體材料上。

6.根據權利要求4或5所述的方法，其中通過等離子處理、濕法化學氧化、或者通過在氧化條件下存放在方法步驟a1）中施加的鎳，執行方法步驟a2）。

7.根據權利要求4至5中任一項所述的方法，其中在方法步驟a2）中將鎳以大于0原子百分比至小于或等于100原子百分比的份額氧化。

8.根據權利要求1至5中任一項所述的方法，其中在方法步驟a）中以小于或等于1μm的范圍中的厚度將氧化鎳施加到所述半導體材料上。

9.根據權利要求1至5中任一項所述的方法，其中在方法步驟b）中，至少將所述接觸層片和所述半導體材料之間的界面加熱到大于或等于600℃至小于或等于1500℃的范圍中的溫度上。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述接觸層片還包括鎳。

11.用于制造半導體構件的方法，所述方法包括根據權利要求1至10中任一項所述的方法。

12.半導體構件，所述半導體構件通過根據權利要求11的方法制造。