[發明專利]無源混頻器電路中改進的線性度有效
| 申請號: | 201380039256.7 | 申請日: | 2013-07-26 |
| 公開(公告)號: | CN104488191B | 公開(公告)日: | 2016-11-02 |
| 發明(設計)人: | 干海濤;李曉勇 | 申請(專利權)人: | 高通股份有限公司 |
| 主分類號: | H03D3/00 | 分類號: | H03D3/00;H03D7/14;H03D7/16 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 張揚;王英 |
| 地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 無源 混頻器 電路 改進 線性 | ||
1.一種無線接收機,包括:
混頻器,其配置為接收包括相對小的調制信號和相對大的載波信號的輸入射頻(RF)信號,所述混頻器包括多個開關;以及
平衡電路,其配置為接收電源電壓和時鐘信號,并向所述混頻器中的開關提供控制信號,所述平衡電路包括電容,所述電容被配置為接收電荷并選擇性地將所述電荷沿著柵極路徑消散為柵極電壓;
其中,所述控制信號使得所述混頻器中的所述開關根據源極電壓和所述柵極電壓之間的電壓差值,在按照所述時鐘信號的時間進行切換,其中,所述源極電壓和所述柵極電壓之間的所述電壓差值近似地是大于所述開關的導通電壓電平的預定的電壓值。
2.根據權利要求1所述的無線接收機,其中,所述平衡電路還包括交叉耦合電壓混頻電路,所述交叉耦合電壓混頻電路被配置為將所述時鐘信號與所述時鐘信號的逆進行混頻,以產生用于控制與所述電容相連接的晶體管的第三時鐘信號。
3.根據權利要求1所述的無線接收機,還包括:
NMOS/PMOS晶體管對,其連接到所述電容并且配置為接收所述時鐘信號和電源電壓,并控制所述電容的充電。
4.根據權利要求1所述的無線接收機,還包括:
晶體管對,其配置為:當所述電容在充電時,使所述混頻器中的所述開關與所述電容相隔離。
5.根據權利要求1所述的無線接收機,其中,使所述電容的大小足夠提供所述柵極電荷電壓和所述柵極路徑中的所有寄生電容。
6.根據權利要求1所述的無線接收機,其中,所述預定的電壓值是所述電源電壓。
7.一種用于將接收的射頻(RF)信號與本地振蕩器(LO)信號進行混頻的方法,所述RF信號包括相對小的調制信號和相對大的載波信號,所述方法包括:
接收電源電壓和時鐘信號;
使用電容接收電荷并選擇性地消散電荷,其中,選擇性地消散電荷發生為沿著柵極路徑的柵極電壓;以及
根據源極電壓和所述柵極電壓之間的電壓差值,在按照所述時鐘信號的時間,使用混頻開關對所述RF信號和所述LO信號中的一個進行切換,其中,所述源極電壓和所述柵極電壓之間的所述電壓差值近似地是大于所述開關的導通電壓電平的預定的電壓值。
8.根據權利要求7所述的方法,還包括:
將所述時鐘信號與所述時鐘信號的逆進行混頻,以產生用于控制與所述電容相連接的晶體管的第三時鐘信號。
9.根據權利要求7所述的方法,還包括:
使用NMOS/PMOS晶體管對來控制所述電容的充電,所述NMOS/PMOS晶體管對連接到所述電容并配置為接收所述時鐘信號和電源電壓。
10.根據權利要求7所述的方法,還包括:
當所述電容在充電時,使所述混頻開關與所述電容相隔離。
11.根據權利要求7所述的方法,其中,使所述電容的大小足夠提供所述柵極電荷電壓和所述柵極路徑中的所有寄生電容。
12.根據權利要求7所述的方法,其中,所述預定的電壓值是所述電源電壓。
13.一種用于將接收的射頻(RF)信號與本地振蕩器(LO)信號進行混頻的裝置,所述RF信號包括相對小的調制信號和相對大的載波信號,所述裝置包括:
用于接收電源電壓和時鐘信號的單元;
用于接收電荷并選擇性地消散電荷的電容單元,其中,選擇性地消散電荷發生為沿著柵極路徑的柵極電壓;以及
用于根據源極電壓和所述柵極電壓之間的電壓差值,在按照所述時鐘信號的時間,使用混頻開關對所述RF信號和所述LO信號中的一個進行切換的單元,其中,所述源極電壓和所述柵極電壓之間的所述電壓差值近似地是大于所述開關的導通電壓電平的預定的電壓值。
14.根據權利要求13所述的裝置,還包括:
用于將所述時鐘信號與所述時鐘信號的逆進行混頻,以產生用于控制與所述電容單元相連接的晶體管的第三時鐘信號的單元。
15.根據權利要求13所述的裝置,還包括:
用于控制所述電容的充電的單元,所述用于控制的單元包括NMOS/PMOS晶體管對,所述NMOS/PMOS晶體管對連接到所述電容單元并配置為接收所述時鐘信號和電源電壓。
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