[發(fā)明專利]熱轉(zhuǎn)換構(gòu)件以及熱轉(zhuǎn)換疊層體

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380038881.X
• 申請(qǐng)日: 2013-10-07
• 公開（公告）號(hào): CN104487785A
• 公開（公告）日: 2015-04-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 筒井琢仁;笹谷亨;則武和人;竹內(nèi)范仁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社豐田自動(dòng)織機(jī)
• 主分類號(hào): F24J2/48
• 分類號(hào): F24J2/48
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 劉航;段承恩

1.一種熱轉(zhuǎn)換構(gòu)件，是包含至少1種半導(dǎo)體的熱轉(zhuǎn)換構(gòu)件，該半導(dǎo)體的帶隙為0.5eV以上、1.2eV以下。

2.一種熱轉(zhuǎn)換構(gòu)件，是包含復(fù)合材料的熱轉(zhuǎn)換構(gòu)件，所述復(fù)合材料是至少1種半導(dǎo)體與透明電介質(zhì)的復(fù)合材料，該半導(dǎo)體的帶隙為0.5eV以上、1.2eV以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熱轉(zhuǎn)換構(gòu)件，所述半導(dǎo)體包含F(xiàn)eS₂。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熱轉(zhuǎn)換構(gòu)件，所述半導(dǎo)體包含Mg₂Si。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熱轉(zhuǎn)換構(gòu)件，所述半導(dǎo)體包含Zn₃As₂。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熱轉(zhuǎn)換構(gòu)件，所述半導(dǎo)體包含Ge。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6的任一項(xiàng)所述的熱轉(zhuǎn)換構(gòu)件，其為膜狀。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的熱轉(zhuǎn)換構(gòu)件，所述膜狀為1nm～10μm的厚度。

9.一種熱轉(zhuǎn)換疊層體，是至少層疊包含權(quán)利要求7或8所述的熱轉(zhuǎn)換構(gòu)件的至少一層、和金屬層而成的。

10.一種熱轉(zhuǎn)換疊層體，是至少金屬層、包含權(quán)利要求7或8所述的熱轉(zhuǎn)換構(gòu)件的至少一層、和透明電介質(zhì)層按此順序?qū)盈B而成的。