[發(fā)明專(zhuān)利]具有陶瓷綠色磷光體和受保護(hù)的紅色磷光體層的LED在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380038655.1 | 申請(qǐng)日： | 2013-07-12 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN104471730A | 公開(kāi)（公告）日： | 2015-03-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | A.D.施里克;K.K.麥;G.巴辛;U.馬肯斯;J.P.A.沃格斯;A.L.維杰斯;K.A.茲特維德 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 皇家飛利浦有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L33/50 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 中國(guó)專(zhuān)利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孫之剛;景軍平 |
| 地址： | 荷蘭艾*** | 國(guó)省代碼： | 荷蘭;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 陶瓷 綠色 磷光體 保護(hù) 紅色 led | ||
1.一種發(fā)光器件，包括：
發(fā)光元件，
發(fā)光元件上的陶瓷元件，其中陶瓷元件包括第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料，
陶瓷元件上的第一層材料，其中第一層材料包括第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料，以及
第一層材料上的第二層材料，如果存在的話，第二層具有濃度比第一層中的第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的濃度大幅更低的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料。
2.權(quán)利要求1的發(fā)光器件，其中第二層材料的表面被粗糙化。
3.權(quán)利要求1的發(fā)光器件，其中除第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的存在或缺失之外，不存在第一和第二層材料之間的明顯差別。
4.權(quán)利要求1的器件，其中發(fā)光元件發(fā)射藍(lán)光，第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料包括藍(lán)色吸收綠色發(fā)射的材料，并且第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料包括藍(lán)色吸收紅色發(fā)射的材料。
5.權(quán)利要求1的器件，其中第一層材料包括嵌有第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的硅樹(shù)脂。
6.權(quán)利要求1的器件，其中第二層材料包括硅樹(shù)脂。
7.權(quán)利要求1的器件，其中第二層材料在2和100微米之間。
8.權(quán)利要求1的器件，其中第二層材料在5和40微米之間。
9.權(quán)利要求1的器件，其中第一層材料包括濃度在1%和70%之間的第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料。
10.權(quán)利要求1的器件，其中第一層材料包括濃度在7%和20%之間的第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料。
11.一種方法，包括：
提供包括第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的陶瓷元件，
在陶瓷元件上創(chuàng)建包括第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的第一層材料，
在第一層上創(chuàng)建第二層材料，如果存在的話，第二層具有濃度比第一層中的第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的濃度大幅更低的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料，
將具有第一和第二層材料的陶瓷元件貼附在發(fā)光元件上，以及
使具有第一和第二層材料的陶瓷元件經(jīng)受移除第二層材料中的一些或全部的過(guò)程，
其中第二層材料被選擇和尺寸設(shè)計(jì)成防止可觀的量的第一層材料通過(guò)所述過(guò)程的移除。
12.權(quán)利要求11的方法，其中
創(chuàng)建第一和第二層材料包括：
在陶瓷元件上應(yīng)用包括第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的第三層粘性材料，
允許第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料朝向陶瓷元件下沉，
固化粘性材料以防止第二波長(zhǎng)材料的進(jìn)一步下沉，從而形成包括第二波長(zhǎng)材料的第一層和在第一層上方的第二層，如果存在的話，所述第二層不包括大量濃度的第二波長(zhǎng)材料。
13.權(quán)利要求11的方法，其中發(fā)光元件發(fā)射藍(lán)光，第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料包括藍(lán)色吸收綠色發(fā)射的材料，并且第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料包括藍(lán)色吸收紅色發(fā)射的材料。
14.權(quán)利要求11的方法，其中第一層材料包括嵌有第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的硅樹(shù)脂。
15.權(quán)利要求11的方法，其中第二層材料包括硅樹(shù)脂。
16.權(quán)利要求11的方法，其中第二層材料在2和100微米之間。
17.權(quán)利要求11的方法，其中第二層材料在5和40微米之間。
18.權(quán)利要求11的方法，其中第一層材料包括濃度在1%和70%之間的第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料。
19.權(quán)利要求11的方法，其中第一層材料包括濃度在7%和20%之間的第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料。
20.權(quán)利要求11的方法，其中過(guò)程包括微珠噴砂。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
