[發(fā)明專利]用于化學(xué)機械拋光的漿料和化學(xué)機械拋光方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380037343.9 | 申請日: | 2013-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN104471684B | 公開(公告)日: | 2018-01-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 加藤充;岡本知大;加藤晉哉 | 申請(專利權(quán))人: | 可樂麗股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所11105 | 代理人: | 邢岳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 化學(xué) 機械拋光 漿料 方法 | ||
1.用于化學(xué)機械拋光的漿料,包含:
研磨劑顆粒(a),
具有pKa大于9的氨基和不少于3個羥基的化合物(b),和
水,
其中,所述化合物(b)為葡糖胺和/或其衍生物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的漿料,其中
所述研磨劑顆粒(a)的濃度為0.1-20質(zhì)量%,和
所述化合物(b)的濃度為0.001-1質(zhì)量%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的漿料,其中所述研磨劑顆粒(a)為選自氧化鈰、氧化錳、氧化鐵、氧化鈦、氧化鎂、氧化鋯和氧化鉭的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2的漿料,其中所述化合物(b)的所述氨基的pKa為9.2-10.5。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2的漿料,其中所述化合物(b)的所述氨基的數(shù)量為1。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2的漿料,其中所述化合物(b)具有100-1000的分子量。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2的漿料,進一步包含濃度為0.001-5質(zhì)量%的水溶性聚合物(c)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的漿料,其中所述水溶性聚合物(c)為陰離子型聚合物和/或非離子型聚合物。
9.根據(jù)權(quán)利要求7的漿料,其中所述水溶性聚合物(c)為選自如下的至少一種:
水溶性聚合物(c1),其通過如下獲得:使25-100質(zhì)量%的選自(甲基)丙烯酸、馬來酸、衣康酸和乙烯基吡咯烷酮的至少一種單體和75-0質(zhì)量%的另外的具有不飽和雙鍵的單體聚合;
水溶性聚合物(c2),其通過如下獲得:使50-100質(zhì)量%的通過水解形成乙烯醇骨架的單體和50-0質(zhì)量%的另外的具有不飽和雙鍵的單體聚合,隨后水解;
水溶性多糖(c3);
具有羧基和/或聚氧乙烯基團的水溶性聚氨酯(c4);和
它們的水溶性衍生物(c5)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2的漿料,進一步包含濃度為0.0001-1質(zhì)量%的具有由式(1)或(2)示出的結(jié)構(gòu)的化合物(d)
其中R1、R2和R3各自獨立地為具有1-6個碳原子的亞烷基,
R4為氫原子或具有1-3個碳原子的烷基,和
n為0-9的整數(shù)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的漿料,其中所述化合物(d)為選自如下的至少一種:亞氨基二乙酸、N-(2-羥基乙基)亞氨基二乙酸、天冬氨酸-N,N-二乙酸、次氨基三乙酸、N-(2-羥基乙基)乙二胺-N,N’,N’-三乙酸、乙二胺-N,N,N’,N’-四乙酸、丙二胺-N,N,N’,N’-四乙酸、乙二醇醚二胺-N,N,N’,N’-四乙酸、1,2-二氨基環(huán)己烷-N,N,N’,N’-四乙酸、二亞乙基三胺-N,N,N’,N”,N”-五乙酸、三亞乙基四胺-N,N,N’,N”,N”’,N”’-六乙酸、3-羥基-2,2’-亞氨基二琥珀酸和乙二胺二琥珀酸。
12.根據(jù)權(quán)利要求1或2的漿料,具有3-11的pH。
13.化學(xué)機械拋光方法,該方法包括通過使用權(quán)利要求1-12中任一項的漿料來拋光絕緣膜。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法,其用于形成淺溝槽隔離。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于可樂麗股份有限公司,未經(jīng)可樂麗股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201380037343.9/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





