[發(fā)明專利]襯底處理裝置、半導體器件的制造方法以及記錄介質(zhì)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380036621.9
• 申請日: 2013-07-26
• 公開（公告）號: CN104428877A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發(fā)明（設計）人: 和田優(yōu)一;蘆原洋司;立野秀人;佐久間春信
• 申請（專利權）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31;C23C16/46;H01L21/22;H01L21/316
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍;李文嶼

技術領域

本發(fā)明涉及襯底處理裝置、半導體器件的制造方法以及記錄介質(zhì)。

背景技術

以往，作為例如DRAM(Dynamic?Random?Access?Memory：動態(tài)隨機存取存儲器)等半導體器件的制造工序的一個工序，有時會進行在被搬入了襯底的反應管內(nèi)供給處理氣體而在襯底的表面上形成氧化膜的工序。該工序通過如下的襯底處理裝置來實施，所述襯底處理裝置例如包括：收容襯底并進行處理的反應管；向反應管內(nèi)的襯底供給使液體原料氣化而成的處理氣體的供給部；對收容在反應管內(nèi)的襯底加熱的加熱部。

在先技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2011-86908

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

然而，在上述襯底處理裝置中，有時會在反應管內(nèi)產(chǎn)生用加熱部難以加熱的低溫區(qū)域。當處理氣體通過這樣的低溫區(qū)域時，處理氣體有時會被冷卻至低于氣化點的溫度而再液化。

本發(fā)明的目的在于提供一種能夠抑制在反應管內(nèi)的處理氣體的再液化的襯底處理裝置、半導體器件的制造方法以及記錄介質(zhì)。

用于解決問題的手段

根據(jù)本發(fā)明的一實施方式，提供一種襯底處理裝置，

具有收容襯底的處理容器、封閉所述處理容器的蓋體、向所述襯底供給反應物的供給部、加熱所述襯底的第1加熱部、加熱在所述蓋體附近流動的氣體狀態(tài)下的所述反應物的第2加熱部以及加熱所述蓋體的發(fā)熱體。

根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，提供一種半導體器件的制造方法，具有：

利用第1加熱部加熱收容在處理容器內(nèi)的襯底的工序；向所述處理容器內(nèi)供給反應物的工序；以及利用第2加熱部和發(fā)熱體加熱流經(jīng)蓋體附近的氣體狀態(tài)的反應物的工序，所述蓋體封閉所述處理容器。

根據(jù)本發(fā)明的又另一實施方式，記錄有使計算機執(zhí)行的程序的記錄介質(zhì)，所述程序具有：

利用第1加熱部加熱收容在處理容器內(nèi)的襯底的步驟；向所述處理容器內(nèi)供給反應物的步驟；以及利用第2加熱部和發(fā)熱體加熱流經(jīng)蓋體附近的氣體狀態(tài)的反應物的步驟，所述蓋體封閉所述處理容器。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明的襯底處理裝置、半導體器件的制造方法以及記錄介質(zhì)，能夠使半導體器件的制造質(zhì)量提高，并且提高制造生產(chǎn)率。

附圖說明

圖1是本發(fā)明一實施方式的襯底處理裝置的概略結構圖。

圖2是本發(fā)明一實施方式的襯底處理裝置具有的處理爐的縱剖面示意圖。

圖3是本發(fā)明一實施方式的爐口附近的概略結構圖。

圖4是本發(fā)明另一實施方式的爐口附近的概略結構圖。

圖5是本發(fā)明又一實施方式的爐口附近的概略結構圖。

圖6是本發(fā)明又一實施方式的爐口附近的概略結構圖。

圖7是本發(fā)明又一實施方式的爐口附近的概略結構圖。

圖8是本發(fā)明又一實施方式的爐口附近的概略結構圖。

圖9是在本發(fā)明的實施方式中優(yōu)選使用的襯底處理裝置的控制器的概略結構圖。

圖10是表示本發(fā)明一實施方式的襯底處理工序的流程圖。

圖11是本發(fā)明的比較例的爐口附近的概略結構圖。

具體實施方式

<本發(fā)明的一實施方式>

以下，參照附圖說明本發(fā)明的一實施方式。

(1)襯底處理裝置的結構

首先，主要使用圖1和圖2說明本實施方式的襯底處理裝置的結構。圖1是本實施方式的襯底處理裝置的概略結構圖，以縱剖面示出了處理爐202部分。圖2是本實施方式的襯底處理裝置具有的處理爐202的縱剖面示意圖。在襯底處理裝置中，例如進行用于制造半導體器件的一個工序。

(處理容器)

如圖1所示，處理爐202包括作為處理容器的反應管203。反應管203例如由石英(SiO₂)或碳化硅(SiC)等耐熱性材料構成，形成為上端和下端開口的圓筒狀。在反應管203的筒中空部中形成處理室201，該處理室201被構成為，能以利用后述的晶舟217將作為襯底的晶片200以水平姿勢沿垂直方向排列多層的狀態(tài)收容所述晶片200。

在反應管203的下部，設置有作為可將反應管203的下端開口(爐口)氣密地密封(封閉)的爐口蓋體的密封蓋219。密封蓋219構成為從垂直方向下側與反應管203的下端抵接。密封蓋219形成為圓板狀。