[發(fā)明專利]襯底處理裝置、半導(dǎo)體器件的制造方法以及記錄介質(zhì)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380036621.9
• 申請日: 2013-07-26
• 公開（公告）號: CN104428877A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 和田優(yōu)一;蘆原洋司;立野秀人;佐久間春信
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31;C23C16/46;H01L21/22;H01L21/316
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 楊宏軍;李文嶼

1.一種襯底處理裝置，具有：

收容襯底的處理容器；

封閉所述處理容器的蓋體；

向所述襯底供給反應(yīng)物的供給部；

加熱所述襯底的第1加熱部；

加熱在所述蓋體附近流動的氣體狀態(tài)下的所述反應(yīng)物的第2加熱部；以及

加熱所述蓋體的發(fā)熱體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，

所述第2加熱部由電阻加熱體和輻射加熱體中的任一方或雙方構(gòu)成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，

所述第2加熱部對由所述第1加熱部加熱的區(qū)域以外的區(qū)域進行加熱。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，

具有控制部，其控制所述第2加熱部的溫度和所述發(fā)熱體的溫度，以抑制在所述處理容器內(nèi)的氣體狀態(tài)下的所述反應(yīng)物的液化。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，

所述處理容器是可收容多片所述襯底的反應(yīng)管，

所述第2加熱部至少設(shè)置在所述反應(yīng)管下部的外側(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，

所述第2加熱部設(shè)置在所述蓋體的外側(cè)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，

所述蓋體由導(dǎo)熱性良好的非金屬材料形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，

在所述蓋體的上部設(shè)置有熱傳導(dǎo)體。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，

在所述處理容器中設(shè)置第3加熱部和狀態(tài)轉(zhuǎn)換部，

所述反應(yīng)物在液體狀態(tài)下被供給到所述處理容器內(nèi)后，通過所述第3加熱部和狀態(tài)轉(zhuǎn)換部而在所述處理容器內(nèi)成為氣體狀態(tài)。

10.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，具有：

利用第1加熱部加熱收容在處理容器內(nèi)的襯底的工序；

向所述處理容器內(nèi)供給反應(yīng)物的工序；以及

利用第2加熱部和發(fā)熱體加熱流經(jīng)蓋體附近的氣體狀態(tài)的反應(yīng)物的工序，所述蓋體封閉所述處理容器。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，

在向所述處理容器內(nèi)供給反應(yīng)物的工序中，包括：

向所述處理容器內(nèi)供給液體狀態(tài)的反應(yīng)物，通過設(shè)置在所述處理容器中的第3加熱部和狀態(tài)轉(zhuǎn)換部，使該反應(yīng)物氣化的工序。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，

具有控制所述第2加熱部和所述發(fā)熱體，從而抑制所述反應(yīng)物在所述處理容器內(nèi)液化的工序。

13.一種記錄介質(zhì)，所述記錄介質(zhì)記錄有使計算機執(zhí)行如下步驟的程序，

利用第1加熱部加熱收容在處理容器內(nèi)的襯底的步驟；

向所述處理容器內(nèi)供給反應(yīng)物的步驟；以及

利用第2加熱部和發(fā)熱體加熱流經(jīng)蓋體附近的氣體狀態(tài)的反應(yīng)物的步驟，所述蓋體封閉所述處理容器。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的記錄介質(zhì)，

在向所述處理容器內(nèi)供給反應(yīng)物的步驟中，包括：

向所述處理容器內(nèi)供給液體狀態(tài)的反應(yīng)物，通過設(shè)置在所述處理容器中的第3加熱部和狀態(tài)轉(zhuǎn)換部，使該反應(yīng)物氣化的步驟。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的記錄介質(zhì)，

具有控制所述第2加熱部和所述發(fā)熱體，從而抑制所述反應(yīng)物在所述處理容器內(nèi)液化的步驟。