[發(fā)明專(zhuān)利]蝕刻方法以及使用該方法制造半導(dǎo)體基板產(chǎn)品和半導(dǎo)體器件的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380036459.0
• 申請(qǐng)日: 2013-07-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104428876A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 室祐繼;上村哲也;稻葉正;渡邊敬宏;樸起永
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 富士膠片株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/306
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/306;H01L21/308
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 牛海軍

1.一種蝕刻方法，所述方法包括以下步驟：

制備蝕刻液，所述蝕刻液包含水、堿性化合物和氧化劑，所述蝕刻液在8.5至14的pH的范圍內(nèi)，

將所述蝕刻液施加到半導(dǎo)體基板中的含TiN層上，從而蝕刻所述含TiN層，所述含TiN層具有0.1摩爾％至10摩爾％的表面氧含量。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，

其中所述堿性化合物是由式(I)表示的化合物：

N(R)₄·OH???式(I)

其中R表示取代基；并且多個(gè)R可以是彼此相同的或不同的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻方法，

其中所述堿性化合物是氫氧化四甲銨、氫氧化四乙銨或氫氧化四丙銨。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，

其中所述氧化劑是過(guò)氧化氫、過(guò)硫酸銨、過(guò)硼酸、過(guò)乙酸、高碘酸、高氯酸或它們的組合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，

其中第一層的蝕刻速度(R1)與第二層的蝕刻速度(R2)的蝕刻速度比(R1/R2)為30以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，

其中所述含TiN層的表面氧含量通過(guò)以下方式獲得：使用蝕刻ESCA測(cè)量所述含TiN層的表面在深度方向上0至30nm的Ti、O和N的濃度分布，并且將在所述含TiN層的5至10nm的深度的氧含量的平均值作為所述表面氧含量。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，其中在40℃以上進(jìn)行所述蝕刻。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，其中通過(guò)使用單個(gè)晶片型處理設(shè)備進(jìn)行所述蝕刻。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，所述方法包括以下步驟：

將第一液體和第二液體混合，從而獲得所述蝕刻液；所述第一液體包含水和堿性化合物，所述第二液體包含水和氧化劑；和

將所述蝕刻液適時(shí)地施加到所述半導(dǎo)體基板上。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中的任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，其中所述蝕刻液還包含水溶性有機(jī)溶劑。

11.一種制造半導(dǎo)體基板產(chǎn)品的方法，所述方法包括通過(guò)根據(jù)權(quán)利要求1至10中的任一項(xiàng)所述的蝕刻方法蝕刻所述半導(dǎo)體基板的含TiN層的步驟。

12.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法通過(guò)使用由根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造方法所獲得的所述半導(dǎo)體基板產(chǎn)品來(lái)制造所述半導(dǎo)體器件。