[發明專利]具有硅電極的順應性雙極微型器件轉移頭有效

申請號：	201380035955.4	申請日：	2013-06-27
公開（公告）號：	CN104471698A	公開（公告）日：	2015-03-25
發明（設計）人：	D·格爾達;A·比布爾	申請（專利權）人：	勒克斯維科技公司
主分類號：	H01L21/677	分類號：	H01L21/677;B81C1/00
代理公司：	北京市金杜律師事務所 11256	代理人：	王茂華;陳穎
地址：	美國加利***	國省代碼：	美國;US
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摘要：
搜索關鍵詞：	具有電極順應性極微器件轉移
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【權利要求書】：

1.一種順應性雙極轉移頭陣列，包括：

基礎襯底；

在所述基礎襯底上方的圖案化硅層，所述圖案化硅層包括第一硅互連件、與所述第一硅互連件電連接的第一硅電極陣列、第二硅互連件以及與所述第二硅互連件電連接的第二硅電極陣列，其中所述第一硅電極陣列和所述第二硅電極陣列的每個硅電極包括電極引線和臺面結構，并且每個臺面結構在所述第一硅互連件和所述第二硅互連件上方突出，并且每個硅電極能夠偏轉到位于所述基礎襯底和所述硅電極之間的空腔內，其中所述第一硅電極陣列和所述第二硅電極陣列對齊且彼此電絕緣；和

電介質層，所述電介質層覆蓋所述第一硅電極陣列和所述第二硅電極陣列的每個臺面結構的頂部表面。

2.根據權利要求1所述的順應性雙極轉移頭陣列，其中所述第一硅電極陣列和所述第二硅電極陣列中的每個硅電極能夠偏轉到所述基礎襯底中的空腔中。

3.根據權利要求2所述的順應性雙極轉移頭陣列，其中所述第一硅電極陣列和所述第二硅電極陣列能夠偏轉到所述基礎襯底中的同一空腔中。

4.根據權利要求3所述的順應性雙極轉移頭陣列，其中所述第一硅互連件和所述第二硅互連件是平行的。

5.根據權利要求3所述的順應性雙極轉移頭陣列，其中所述空腔纏繞在所述第一硅電極和所述第二硅電極中的一者的末端周圍。

6.根據權利要求3所述的順應性雙極轉移頭陣列，其中所述空腔纏繞在所述第一硅電極和所述第二硅電極兩者的末端周圍。

7.根據權利要求1所述的順應性雙極轉移頭陣列，其中所述第一硅電極陣列和所述第二硅電極陣列形成跨接在所述第一硅互連件和所述第二硅互連件之間的支撐梁陣列。

8.根據權利要求7所述的順應性雙極轉移頭陣列，還包括位于所述第一硅電極陣列和所述第二硅電極陣列之間的氧化物接合部陣列。

9.根據權利要求8所述的順應性雙極轉移頭陣列，其中所述圖案化硅層位于掩埋氧化物層上并與所述掩埋氧化物層直接接觸，并且所述氧化物接合部位于所述掩埋氧化物層上并與所述掩埋氧化物層直接接觸。

10.根據權利要求9所述的順應性雙極轉移頭陣列，其中所述氧化物接合部平行于所述第一硅互連件和所述第二硅互連件。

11.根據權利要求10所述的順應性雙極轉移頭陣列，其中所述支撐梁包括彎曲部。

12.根據權利要求10所述的順應性雙極轉移頭陣列，其中所述氧化物接合部陣列沿所述支撐梁陣列的縱向長度將所述第一硅電極陣列和所述第二硅電極陣列分開。