[發明專利]用于表面貼裝技術的發光二極管模塊及其制備方法

有效

• 申請號: 201380035713.5
• 申請日: 2013-06-24
• 公開（公告）號: CN104471728B
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發明（設計）人: 蔡鐘炫;張鐘敏;盧元英;徐大雄;姜珉佑;李俊燮;金賢兒
• 申請（專利權）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L33/46
• 分類號: H01L33/46;H01L33/44;H01L33/62
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司11286
• 代理人: 劉燦強,韓明花

1.一種發光二極管模塊，其包括：

發光二極管，所述發光二極管具有堆疊結構，所述堆疊結構包括形成于襯底上的第一半導體層、有源層、第二半導體層、和反射圖案，所述堆疊結構還包括形成為暴露第一半導體層的部分表面的臺面區域；

第一絕緣層，形成于所述堆疊結構的除了臺面區域之外的部分上，在反射圖案上圖案化第一絕緣層以形成第一焊盤區域；

導電反射層，形成于第一絕緣層和暴露在臺面區域內的第一半導體層上；

第二絕緣層，形成于導電反射層上，且設計為形成暴露部分導電反射層的第二焊盤區域；

第一焊盤，形成于第一焊盤區域上；和

第二焊盤，形成于第二焊盤區域上，

其中，所述第一焊盤區域通過形成有多個孔的圖案化的第一絕緣層暴露部分反射圖案，所述第二焊盤區域通過形成有多個孔的圖案化的第二絕緣層暴露部分導電反射層，所述圖案化的第一絕緣層內形成的孔的數量等于或大于所述圖案化的第二絕緣層內形成的孔的數量。

2.根據權利要求1的發光二極管模塊，其中暴露的反射圖案的面積大于暴露的導電反射層的面積。

3.根據權利要求1的發光二極管模塊，其中所述第一焊盤的面積大于所述第二焊盤的面積。

4.根據權利要求1的發光二極管模塊，其中，當所述有源層內產生的光的波長為λ時，所述第一絕緣層的厚度為λ/4的整數倍。

5.根據權利要求1的發光二極管模塊，其中所述反射圖案包括：

反射金屬層，形成于第二半導體層上且設計為反射光；和

導電阻擋層，設計為遮蔽反射金屬層且在第二半導體層上連續地延伸。

6.根據權利要求5的發光二極管模塊，其中導電阻擋層根據下面的層具有不同的厚度。

7.根據權利要求5的發光二極管模塊，其中反射金屬層的側面相對于第二半導體層表面具有5°到45°的傾斜角。

8.一種制備發光二極管模塊的方法，包括：

在一結構上覆蓋第一絕緣層，所述結構中有形成于襯底上的第一半導體層、有源層、第二半導體層和反射圖案，所述第一絕緣層使反射圖案的部分暴露以形成第一焊盤區域，并且所述第一絕緣層使設置在臺面區域上的第一半導體層暴露；

在第一絕緣層上形成導電反射層，所述導電反射層將導電反射層與暴露的第一半導體層電連接，并使第一焊盤區域保持開放狀態；

在導電反射層上覆蓋第二絕緣層以暴露設置在第一焊盤區域內的反射圖案，第二絕緣層使電連接第一半導體層的導電反射層的部分暴露以形成第二焊盤區域；和

在第一焊盤區域上形成第一焊盤以及在第二焊盤區域上形成第二焊盤，

其中，所述第一焊盤區域通過使第一絕緣層圖案化為形成多個孔而暴露部分反射圖案，所述第二焊盤區域通過使第二絕緣層圖案化為形成多個孔而暴露部分導電反射層，所述圖案化的第一絕緣層內形成的孔的數量等于或大于所述圖案化的第二絕緣層內形成的孔的數量。

9.根據權利要求8的方法，其中所述結構的制備中，第一半導體層、有源層、第二半導體層、和反射圖案被制備，其中包括：

在襯底上相繼地形成第一半導體層、有源層、和第二半導體層；

刻蝕第二半導體層和有源層以形成臺面區域，其暴露了第一半導體層的表面；

在臺面區域上形成具有懸垂結構的光阻圖案，且在穿過介于光阻圖案之間的空間暴露的第二半導體層的表面上形成反射金屬層；和

在反射金屬層上形成導電阻擋層，其中所述導電阻擋層連續地形成于所述反射金屬層和所述第二半導體層的表面上。

10.根據權利要求8的方法，其中穿過第一焊盤區域暴露的反射圖案的面積大于穿過第二焊盤區域暴露的導電反射層的面積。

11.根據權利要求8的方法，其中，當有源層產生的光的波長為λ時，形成在所述發光二極管模塊的側面上的第一絕緣層的厚度為λ/4的整數倍。