[發(fā)明專利]具有同軸RF饋送及同軸遮罩的對稱的感應(yīng)性耦合等離子體源

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380035698.4
• 申請日: 2013-06-05
• 公開（公告）號: CN104412718A
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: J·A·肯尼;J·D·卡達(dá)希;K·S·柯林斯;R·福韋爾;K·拉馬斯瓦米;S·拉烏夫
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號: H05H1/46
• 分類號: H05H1/46;H01L21/205;C23C16/50
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 黃嵩泉

1.一種等離子體反應(yīng)器包含：

視窗組件；

與所述視窗組件相鄰的內(nèi)層線圈天線、中間線圈天線及外層線圈天線，及分別耦接至所述內(nèi)層線圈天線、所述中間線圈天線及所述外層線圈天線的內(nèi)部電流分配器、中間電流分配器及外部電流分配器；

頂板，所述頂板覆蓋所述視窗組件及所述頂板處的第一RF功率端子、第二RF功率端子及第三RF功率端子；

第一軸向RF功率饋送、第二軸向RF功率饋送及第三軸向RF功率饋送，在所述第一RF功率端子、所述第二RF功率端子及所述第三RF功率端子的各別端子與所述內(nèi)部電流分配器、所述中間電流分配器及所述外部電流分配器的各別分配器之間連接；

其中所述第三軸向RF功率饋送包含中空軸向外部RF功率分配圓筒，所述中空軸向外部RF功率分配圓筒環(huán)繞所述第一軸向RF功率饋送及所述第二軸向RF功率饋送。

2.如權(quán)利要求1所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于，所述第二軸向RF功率饋送包含中空軸向中間RF功率分配圓筒，所述中空軸向中間RF功率分配圓筒環(huán)繞所述第一軸向RF功率饋送。

3.如權(quán)利要求2所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于，所述第一軸向RF功率饋送包含中央RF連接桿，且其中所述中央RF連接桿、所述中空中間RF功率分配圓筒及所述外部RF分配圓筒是同軸的。

4.如權(quán)利要求3所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于，所述內(nèi)層線圈天線、所述中間線圈天線及所述外層線圈天線是與所述中央RF連接桿同軸的。

5.如權(quán)利要求3所述的等離子體反應(yīng)器，進(jìn)一步包含：

氣室板，所述氣室板與所述頂板隔開及位于所述頂板下，以及所述氣室板包含中央開口。

6.如權(quán)利要求5所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于，所述外部RF分配圓筒延伸穿過所述中央開口，在所述氣室板與所述外部RF分配圓筒之間具有間隙，所述等離子體反應(yīng)器進(jìn)一步包含：

徑向凸緣，所述徑向凸緣自所述外部RF分配圓筒延伸及覆蓋于所述間隙上。

7.如權(quán)利要求2所述的等離子體反應(yīng)器，進(jìn)一步包含：

自所述中間RF分配圓筒向外延伸的數(shù)個徑向中間臂及自所述數(shù)個徑向中間臂延伸至所述中間電流分配器上的間隔分離位置的數(shù)個軸向中間腳；

自所述外部RF分配圓筒向外延伸的數(shù)個徑向外部臂及自所述數(shù)個徑向外部臂延伸至所述外部電流分配器上的間隔分離位置的數(shù)個軸向外部腳。

8.如權(quán)利要求7所述的等離子體反應(yīng)器，進(jìn)一步包含接地板，所述接地板位于所述頂板下及位于所述中間電流分配器上方，所述數(shù)個軸向中間腳延伸穿過所述接地板。

9.如權(quán)利要求8所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于，所述數(shù)個軸向外部腳延伸穿過所述接地板。

10.如權(quán)利要求8所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于：

所述內(nèi)層線圈天線、所述中間線圈天線及所述外層線圈天線的各者包含具有RF供應(yīng)端的數(shù)個導(dǎo)體；

所述內(nèi)部電流分配器、所述中間電流分配器及所述外部電流分配器的各者包含軸向?qū)ΨQ的中空主體，所述中空主體包含面向所述內(nèi)層線圈天線、所述中間線圈天線及所述外層線圈天線的相應(yīng)者的所述數(shù)個導(dǎo)體的所述供應(yīng)端的底部。

11.如權(quán)利要求5所述的等離子體反應(yīng)器，進(jìn)一步包含：

數(shù)個間隔分離電抗元件，所述數(shù)個間隔分離電抗元件耦接至所述外部RF功率分配圓筒。

12.如權(quán)利要求11所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于，所述電抗元件包含耦接于所述RF功率分配圓筒與所述頂板之間的離散電容器。

13.如權(quán)利要求8所述的等離子體反應(yīng)器，進(jìn)一步包含：

中空圓柱形內(nèi)部遮罩，所述中空圓柱形內(nèi)部遮罩在所述中央RF連接桿與所述中間RF分配圓筒之間；以及

中空圓柱形上部遮罩，所述中空圓柱形上部遮罩在所述中間RF分配圓筒與所述外部RF分配圓筒之間，所述上部遮罩包含底部邊緣。

14.如權(quán)利要求13所述的等離子體反應(yīng)器，進(jìn)一步包含氣室板，所述氣室板與所述頂板隔開及位于所述頂板下以及所述氣室板包含中央開口，所述上部遮罩延伸穿過所述中央開口及在所述氣室板與所述上部遮罩之間界定內(nèi)部間隙。

15.如權(quán)利要求13所述的等離子體反應(yīng)器，進(jìn)一步包含：

中間圓柱形遮罩，所述中間圓柱形遮罩向所述接地板軸向延伸及環(huán)繞所述數(shù)個軸向中間腳；

下部圓柱形遮罩，所述下部圓柱形遮罩自所述接地板向下延伸；

底部遮罩，所述底部遮罩自所述下部圓柱形遮罩的所述底部邊緣向下延伸；以及

圓柱形基座，所述圓柱形基座自所述底部遮罩軸向延伸，所述圓柱形基座環(huán)繞所述中間線圈。