[發明專利]運送切割晶圓的方法

有效

• 申請號: 201380035367.0
• 申請日: 2013-06-20
• 公開（公告）號: CN104412368B
• 公開（公告）日: 2019-12-03
• 發明（設計）人: W-S·類;B·伊頓;A·伊耶;S·辛格;T·伊根;A·庫瑪;S·拉馬斯瓦米
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/301
• 分類號: H01L21/301;H01L21/78
• 代理公司: 31100 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 陸勍<國際申請>=PCT/US2013/

1.一種用于切割上面具有多個集成電路的晶圓的方法，該方法包括：

將該晶圓切割為多個單切晶粒，該多個單切晶粒被配置在一切割膠帶上方；

在所述多個單切晶粒上方與所述多個單切晶粒之間以及在所述多個單切晶粒之間的所述切割膠帶的部分上形成一水溶性材料層，其中所述水溶性材料層與所述切割膠帶的所述部分接觸；以及

運送所述切割膠帶，其中所述水溶性材料層于運送期間保護這些單切晶粒不受損壞。

2.如權利要求1所述的方法，更包括以下步驟：

在運送之后，以一水相媒介移除該水溶性材料層。

3.如權利要求1所述的方法，更包括以下步驟：

在運送之前烘烤該水溶性材料層。

4.如權利要求1所述的方法，其中該水溶性材料層包括：由聚乙烯醇、聚丙烯酸、葡萄聚醣、聚甲基丙烯酸、聚乙烯亞胺及聚環氧乙烷所組成群組中選出的一材料。

5.如權利要求4所述的方法，其中該水溶性材料層具有在一水相溶液中的每分鐘1至15微米的范圍中的一蝕刻速率。

6.如權利要求1所述的方法，其中該形成該水溶性材料層包括旋涂該水溶性材料層。

7.如權利要求1所述的方法，其中將該晶圓切割為該多個單切晶粒包括：使用一激光燒蝕工藝。

8.如權利要求1所述的方法，其中將該晶圓切割為該多個單切晶粒包括：使用一激光畫切加上等離子體蝕刻的復合切割工藝。

9.如權利要求1所述的方法，其中在將該晶圓切割為該多個單切晶粒期間，一水溶性遮罩被配置在該晶圓上，且其中該水溶性遮罩于移除該水溶性材料層期間被移除。

10.如權利要求1所述的方法，其中該切割膠帶是收容在一框體中。

11.一種裝置，包括：

多個單切晶粒，其被配置在一切割膠帶上方；

一水溶性材料層，其被配置在所述多個單切晶粒上與所述多個單切晶粒之間以及在所述多個單切晶粒之間的所述切割膠帶的部分上，其中所述水溶性材料層與所述切割膠帶的所述部分接觸，且其中所述水溶性材料層于所述切割膠帶的運送期間保護這些單切晶粒不受損壞。

12.如權利要求11所述的裝置，其中該水溶性材料層包括由聚乙烯醇、聚丙烯酸、葡萄聚醣、聚甲基丙烯酸、聚乙烯亞胺及聚環氧乙烷所組成群組中選出的一材料。

13.如權利要求11所述的裝置，更包括：

一水溶性遮罩，其被配置在各該多個單切晶粒上、各該多個單切晶粒與該水溶性材料層之間。

14.如權利要求11所述的裝置，其中該切割膠帶收容在一框體中。