[發(fā)明專利]用于鰭式晶體管的高遷移率應(yīng)變溝道

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380033774.8
• 申請日: 2013-06-12
• 公開（公告）號: CN104412389B
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S·M·塞亞;A·S·默西;G·A·格拉斯;D·B·奧貝蒂內(nèi);T·加尼;J·T·卡瓦列羅斯;R·科特利爾
• 申請（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 林金朝;王英

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底上的硅鰭狀物，所述鰭狀物具有溝道區(qū)以及與所述溝道區(qū)相鄰的相應(yīng)的源極/漏極區(qū)，其中所述源極/漏極區(qū)位于所述鰭狀物的側(cè)部和頂部；

在所述鰭狀物的所述溝道區(qū)的一個(gè)或多個(gè)表面上的鍺或SiGe的包覆層；

所述包覆層之上的柵極電介質(zhì)層；

所述柵極電介質(zhì)層上的柵極電極；以及

所述源極/漏極區(qū)中的每個(gè)源極/漏極區(qū)中的源極/漏極材料，其中，所述源極/漏極材料是SiGe，其中所述源極/漏極材料和所述包覆層被配置為增強(qiáng)所述溝道區(qū)內(nèi)的應(yīng)力。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括所述包覆層與所述柵極電介質(zhì)層之間的蓋層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述蓋層包括硅，并且所述蓋層具有至范圍內(nèi)的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述包覆層包括10％-90％的鍺。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述襯底包括第一材料并且所述鰭狀物包括與所述第一材料不同的第二材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述襯底包括硅層，并且所述包覆層是鍺。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述包覆層覆蓋所述鰭狀物的側(cè)部和頂部。

8.一種移動(dòng)計(jì)算設(shè)備，其包括根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件。

9.一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底上的硅鰭狀物，所述鰭狀物具有溝道區(qū)以及與所述溝道區(qū)相鄰的相應(yīng)的源極/漏極區(qū)，其中所述源極/漏極區(qū)位于所述鰭狀物的側(cè)部和頂部；

在所述鰭狀物的所述溝道區(qū)的一個(gè)或多個(gè)表面上的鍺或SiGe的包覆層；

所述包覆層上的蓋層，其中，所述蓋層包括硅；

所述蓋層上的柵極電介質(zhì)層；

所述柵極電介質(zhì)層上的柵極電極；以及

所述源極/漏極區(qū)中的每個(gè)源極/漏極區(qū)中的源極/漏極材料，其中，所述源極/漏極材料是SiGe，其中所述源極/漏極材料和所述包覆層被配置為增強(qiáng)所述溝道區(qū)內(nèi)的應(yīng)力。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述包覆層包括10％-90％的鍺。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述襯底包括第一材料并且所述鰭狀物包括與所述第一材料不同的第二材料。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述襯底包括硅層，并且所述包覆層是鍺。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述包覆層是SiGe。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述包覆層覆蓋所述鰭狀物的側(cè)部和頂部，以便提供三柵極晶體管。

15.一種通信設(shè)備，其包括根據(jù)權(quán)利要求9至14中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件。