[發明專利]用于類似銅銦亞鹽酸太陽能電池的光伏器件的后接觸結構

有效

• 申請號: 201380033685.3
• 申請日: 2013-03-19
• 公開（公告）號: CN104396020B
• 公開（公告）日: 2018-04-24
• 發明（設計）人: 阿列克謝·克拉斯諾夫
• 申請（專利權）人: 葛迪恩實業公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/0749
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224
• 代理人: 劉培培,黎艷

1.一種用于光伏器件的后接觸結構，包括：

基片；

含有鉬的第一導電后接觸層，位于所述基片上；和

含有氧化鉬的基礎種子層，直接形成于所述第一導電后接觸層上，所述含有氧化鉬的基礎種子層的導電性小于所述含有鉬的第一導電后接觸層，

其中，所述含有氧化鉬的基礎種子層的厚度范圍從以下構成的組中被選定：5-15nm、35-45nm、60-70nm、和90-100nm，且其中，所述第一導電后接觸層位于所述基片和所述基礎種子層之間，

其中，所述含有氧化鉬的基礎種子層在硒化過程中被轉換成含有MoSe₂的層，其厚度范圍從以下構成的組中被選定：5-15nm、35-45nm、60-70nm、和90-100nm，

其中，所述基礎種子層的厚度與所述含有MoSe₂的層的厚度對應。

2.如權利要求1所述的后接觸結構，其中，所述基片包含玻璃。

3.如權利要求1所述的后接觸結構，其中，所述基片包含金屬箔。

4.如權利要求1所述的后接觸結構，其中，所述含有氧化鉬的基礎種子層的厚度從以下構成的組中被選定：10nm、40nm、65nm、和95nm。

5.如權利要求1所述的后接觸結構，其中，所述含有鉬的第一導電后接觸層的厚度范圍為300-600nm。

6.如權利要求1所述的后接觸結構，其中，所述含有鉬的第一導電后接觸層的厚度為400nm。

7.如權利要求1所述的后接觸結構，其中，在所述基片和所述含有鉬的第一導電后接觸層之間配置含氮化硅和/或氧氮化硅的介質層。

8.如權利要求1所述的后接觸結構，其中，所述基礎種子層主要由氧化鉬組成。

9.如權利要求1所述的后接觸結構，其中，所述第一導電后接觸層主要由鉬組成。

10.一種用于光伏器件的后接觸結構，包括：

基片；

后接觸層，包含具第一密度的第一鉬基區域和具第二密度的第二鉬基區域，所述第一密度高于所述第二密度，所述第一鉬基區域位于所述基片和所述第二鉬基區域之間，所述第二鉬基區域形成基礎種子區域，

其中，含有鉬的所述基礎種子區域的厚度范圍從以下構成的組中被選定：5-15nm、35-45nm、60-70nm、和90-100nm，

所述基礎種子區域在硒化過程中被轉換至含有MoSe₂的層，其厚度范圍從以下構成的組中被選定：5-15nm、35-45nm、60-70nm、和90-100nm，

其中，所述基礎種子層的厚度與所述含有MoSe₂的層的厚度對應。

11.如權利要求10所述的后接觸結構，其中，所述基片包含玻璃。

12.如權利要求10所述的后接觸結構，其中，所述第二鉬基區域包含氧化鉬。

13.如權利要求10所述的后接觸結構，其中，含有鉬的所述基礎種子區域的厚度從以下構成的組中被選定：10nm、40nm、65nm、和95nm。

14.如權利要求10所述的后接觸結構，其中，所述具第一密度的第一鉬基區域的厚度范圍為300-600nm。

15.如權利要求10所述的后接觸結構，其中，所述第一密度比所述第二密度大10％。

16.如權利要求10所述的后接觸結構，其中，所述第一密度比所述第二密度大20％。

17.如權利要求10所述的后接觸結構，其中，在所述基片和所述第一鉬基區域之間配置含氮化硅和/或氧氮化硅的介質層。

18.一種光伏器件，包括：

半導體吸收薄膜；

后接觸部，包括含鉬的第一導電層和含MoSe₂的光耦合層，其厚度范圍從以下構成的組中被選定：5-15nm、35-45nm、60-70nm、90-100nm；和

后基片，

其中，所述后接觸部位于所述后基片和所述半導體吸收薄膜之間，

其中，所述含MoSe₂的光耦合層直接形成于所述含鉬的第一導電層上。