[發(fā)明專利]沉積裝置和沉積方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380033599.2 | 申請日: | 2013-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN104395496A | 公開(公告)日: | 2015-03-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 中野弘文 | 申請(專利權(quán))人: | 拉波特株式會社 |
| 主分類號: | C23C14/32 | 分類號: | C23C14/32 |
| 代理公司: | 北京市隆安律師事務(wù)所 11323 | 代理人: | 徐謙 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 沉積 裝置 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及沉積裝置和沉積方法。
背景技術(shù)
作為將材料沉積于基板的沉積裝置,已知例如濺射裝置、真空蒸鍍裝置、CVD(Chemical?Vapor?Deposition:化學(xué)氣相沉積)裝置等。作為這種沉積裝置,離子電鍍裝置由于能形成緊貼性好的良好的膜而受到關(guān)注。例如在特開平9-256148號公報(專利文獻1)中公開了利用來自等離子體電子槍的電子束使蒸發(fā)材料離子化,將離子化的蒸發(fā)材料(材料顆粒)沉積于基板的離子電鍍裝置。
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題
然而,專利文獻1所記載的沉積裝置存在如下問題:沉積的材料顆粒的粒徑不勻較大,無法控制沉積的材料顆粒的粒徑。
本發(fā)明的若干方式所涉及的目的之一在于提供能控制所沉積的材料顆粒的粒徑的沉積裝置。另外,本發(fā)明的若干方式所涉及的目的之一在于提供能控制所沉積的材料顆粒的粒徑的沉積方法。
用于解決問題的方案
(1)本發(fā)明所涉及的沉積裝置
使材料顆粒沉積,其包括:
離子化部,其在被供應(yīng)上述材料顆粒的反應(yīng)室中利用光電效應(yīng)使上述材料顆粒離子化;以及
電極部,其利用庫侖力將離子化的上述材料顆粒向給定的區(qū)域引導(dǎo)。
根據(jù)這種沉積裝置,離子化部利用光電效應(yīng)使材料顆粒離子化,因此離子化的材料顆粒的粒徑越小,每單位質(zhì)量的電荷密度越大。因此,材料顆粒的粒徑越小,作用于材料顆粒的庫侖力的影響越大。因而,通過電極部對由離子化部離子化的材料顆粒作用庫侖力,由此能控制所沉積的材料顆粒的粒徑。
(2)在本發(fā)明所涉及的沉積裝置中,可以是,
上述離子化部照射電磁波而使上述材料顆粒離子化。
根據(jù)這種沉積裝置,例如能在將反應(yīng)室按高真空度保持的狀態(tài)下使材料顆粒離子化。
(3)在本發(fā)明所涉及的沉積裝置中,可以是,
包括將上述材料顆粒向上述反應(yīng)室供應(yīng)的材料顆粒供應(yīng)部。
(4)在本發(fā)明所涉及的沉積裝置中,可以是,
上述材料顆粒供應(yīng)部具有第1電極和第2電極,并且通過在上述第1電極和上述第2電極之間產(chǎn)生放電從而供應(yīng)上述材料顆粒。
(5)在本發(fā)明所涉及的沉積裝置中,可以是,
上述材料顆粒供應(yīng)部照射電磁波而使原料汽化,并且供應(yīng)上述材料顆粒。
(6)在本發(fā)明所涉及的沉積裝置中,可以是,
上述材料顆粒供應(yīng)部供應(yīng)包含上述材料顆粒的流體。
(7)在本發(fā)明所涉及的沉積裝置中,可以是,
包括控制上述材料顆粒的溫度的溫度控制部。
根據(jù)這種沉積裝置,例如在材料顆粒的粒徑由于溫度而變化的情況下,能控制向反應(yīng)室供應(yīng)的材料顆粒的粒徑。
(8)在本發(fā)明所涉及的沉積裝置中,可以是,
包括用于在離子化的上述材料顆粒的路徑上產(chǎn)生磁場的磁場生成部。
根據(jù)這種沉積裝置,能根據(jù)磁性篩選離子化的材料顆粒。
(9)在本發(fā)明所涉及的沉積裝置中,可以是,
包括根據(jù)質(zhì)量選擇離子化的上述材料顆粒的質(zhì)量過濾部。
根據(jù)這種沉積裝置,能進一步控制所沉積的材料顆粒的粒徑。
(10)在本發(fā)明所涉及的沉積裝置中,可以是,
包括閥,上述閥配置在上述反應(yīng)室和沉積離子化的上述材料顆粒的樣品室之間。
根據(jù)這種沉積裝置,能控制所沉積的材料顆粒的沉積量。
(11)在本發(fā)明所涉及的沉積裝置中,可以是,
上述電極部具有:電子捕集電極,其用于捕獲收集利用光電效應(yīng)從上述材料顆粒釋放出的電子;以及材料顆粒捕集電極,其用于捕獲收集離子化的上述材料顆粒。
(12)在本發(fā)明所涉及的沉積裝置中,可以是,
包括中和部,上述中和部向沉積在上述材料顆粒捕集電極上的上述材料顆粒供應(yīng)帶電粒子,從而使上述材料顆粒捕集電極上的上述材料顆粒中性化。
根據(jù)這種沉積裝置,能使在材料顆粒捕集電極上沉積的材料顆粒中和(中性化)。
(13)本發(fā)明所涉及的沉積方法
使材料顆粒沉積,其包括如下工序:
向反應(yīng)室供應(yīng)上述材料顆粒;
利用光電效應(yīng)將供應(yīng)到上述反應(yīng)室的上述材料顆粒離子化;以及
利用庫侖力將離子化的上述材料顆粒引導(dǎo)到給定的區(qū)域使其沉積。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于拉波特株式會社,未經(jīng)拉波特株式會社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201380033599.2/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





