[發明專利]圖像拾取元件、圖像拾取裝置、制造裝置及制造方法在審
| 申請號: | 201380033244.3 | 申請日: | 2013-05-22 |
| 公開(公告)號: | CN104428896A | 公開(公告)日: | 2015-03-18 |
| 發明(設計)人: | 大塚洋一;山本篤志;前田兼作 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;G02B1/11;G02B3/00;G02B5/20 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像 拾取 元件 裝置 制造 方法 | ||
1.一種圖像拾取元件,包括:
非平面層,具有在光接收區域中的非平面光入射表面;以及
無機材料的微型透鏡,其設置在該非平面層的該光入射表面側上,并且聚集入射光。
2.根據權利要求1所述的圖像拾取元件,其中
該微型透鏡包括多個層。
3.根據權利要求2所述的圖像拾取元件,其中
包括該多個層的該微型透鏡的各層具有不同的折射率。
4.根據權利要求2所述的圖像拾取元件,其中
包括該多個層的該微型透鏡的各層具有不同的彎曲表面形狀。
5.根據權利要求2所述的圖像拾取元件,其中
包括該多個層的該微型透鏡的各層的至少一部分形成在該非平面層的凹陷部分中。
6.根據權利要求1所述的圖像拾取元件,其中
抗反射膜形成在該微型透鏡的光入射表面之上。
7.根據權利要求1所述的圖像拾取元件,還包括:
粘合劑材料層,提供在該微型透鏡的光入射表面側。
8.根據權利要求1所述的圖像拾取元件,其中
該非平面層具有濾光片。
9.根據權利要求8所述的圖像拾取元件,其中
該濾光片包括具有多種顏色的彩色濾光片,該多種顏色的彩色濾光片在光通過的方向上具有不同厚度。
10.根據權利要求9所述的圖像拾取元件,其中
在該濾光片中,具有不同厚度且對應于紅、綠和藍像素的彩色濾光片布置成拜爾布置,并且該綠濾光片連接在像素之間。
11.根據權利要求8所述的圖像拾取元件,其中
該濾光片由有機材料形成。
12.根據權利要求8所述的圖像拾取元件,其中
該非平面層具有形成在該濾光片上的有機膜且具有非平面的光入射表面。
13.根據權利要求12所述的圖像拾取元件,其中
該有機膜的光入射表面的凸起和凹陷的高度低于該濾光片的光入射表面的凸起和凹陷的高度。
14.根據權利要求12所述的圖像拾取元件,其中
該有機膜的折射率在該濾光片的折射率和該微型透鏡的折射率之間。
15.根據權利要求8所述的圖像拾取元件,其中
該非平面層具有像素間遮光膜。
16.根據權利要求15所述的圖像拾取元件,其中
由于該濾光片和該像素間遮光膜之間的高度差,該非平面層具有在該光入射表面上的凸起和凹陷。
17.根據權利要求1所述的圖像拾取元件,其中
芯片級封裝結構被形成。
18.一種圖像拾取裝置,包括:
圖像拾取元件,其捕獲物體的圖像,并且將該物體的圖像作為電信號輸出;以及
圖像處理單元,其處理由該圖像拾取元件獲得的該物體的圖像,
其中該圖像拾取元件包括
非平面層,其具有在光接收區域中的非平面光入射表面,以及
無機材料的微型透鏡,其設置在該非平面層的該光入射表面側上,并且聚集入射光。
19.一種制造裝置,包括:
非平面層形成單元,其形成非平面層,該非平面層具有在圖像拾取元件的光接收區域中的非平面光入射表面;
無機膜形成單元,在由該非平面層形成單元形成的該非平面層的該光入射表面側上形成無機膜;
平坦化膜形成單元,在由該無機膜形成單元形成的該無機膜的光入射表面側上形成平坦化膜;
抗蝕劑形成單元,在由該平坦化膜形成單元形成的該平坦化膜的光入射表面側上形成抗蝕劑;
熱回流處理單元,在已經由該抗蝕劑形成單元在其上形成抗蝕劑的該圖像拾取元件上執行熱回流處理;以及
蝕刻處理單元,在已經由該熱回流處理單元在其上執行該熱回流處理的該圖像拾取元件上執行蝕刻。
20.一種用于制作制造裝置的方法,該制造裝置制造圖像拾取元件,該方法包括:
由該制造裝置,
在圖像拾取元件的光接收區域中形成具有非平面光入射表面的非平面層,
在所形成的該非平面層的該光入射表面側形成無機膜,
在所形成的該無機膜的光入射表面側形成平坦化膜,
在所形成的該平坦化膜的光入射表面側形成抗蝕劑,
在其上已經形成該抗蝕劑的該圖像拾取元件上執行熱回流處理,以及
在其上已經執行該熱回流處理的該圖像拾取元件上執行蝕刻。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
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