[發明專利]基于跨越晶片的參數變化的測量模型優化

無效

• 申請號: 201380033194.9
• 申請日: 2013-05-07
• 公開（公告）號: CN104395997A
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發明（設計）人: 史帝藍·伊凡渥夫·潘戴夫
• 申請（專利權）人: 科磊股份有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

1.一種方法，其包括：

確定位于半導體晶片上的目標結構的第一測量模型，所述第一測量模型包含第一參數集合；

確定表征所述半導體晶片上的任何位置處的所述第一參數集合的至少一個參數的工藝變化的跨晶片模型；

接收與通過度量工具對所述目標結構進行的測量相關聯的第一數量的測量數據；

基于將所述第一數量的測量數據擬合于受所述跨晶片模型約束的所述目標結構的第二測量模型而確定表征所述目標結構的第二參數值集合；及

將所述第二參數值集合存儲在存儲器中。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述確定所述跨晶片模型涉及：依據所述半導體晶片上的位置而產生所述至少一個第一參數的值的參數化模型。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述確定所述跨晶片模型涉及：依據所述半導體晶片上的位置而鏈接所述至少一個第一參數值的值。

4.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括：

接收指示所述半導體晶片上的任何位點處的所述第一參數集合的所述至少一個參數的工藝變化的第二數量的測量數據，其中所述確定所述跨晶片模型至少部分基于所述經接收的第二數量的測量數據。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述第一數量的測量數據與所述第二數量的測量數據相同。

6.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括：

基于受所述跨晶片模型約束的所述第一測量模型的變換確定所述目標結構的所述第二測量模型，其中所述第二測量模型包含的參數少于所述第一參數集合所包含的參數。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一參數集合的所述至少一個參數的值取決于所述目標結構在所述半導體晶片上的位置。

8.根據權利要求7所述的方法，其中表征所述至少一個參數的工藝變化的所述跨晶片模型取決于所述目標結構在所述半導體晶片上的所述位置。

9.一種產生優化測量模型的系統，所述系統包括：

光學度量系統，其包含照明源及檢測器，所述光學度量系統經配置以使用測量技術及機器參數值集合對目標結構執行測量；及

計算系統，其經配置以：

確定位于半導體晶片上的目標結構的第一測量模型，所述第一測量模型包含第一參數集合；

確定表征所述半導體晶片上的任何位置處的所述第一參數集合的至少一個參數的工藝變化的跨晶片模型；

接收與通過度量工具對所述目標結構進行的測量相關聯的第一數量的測量數據；

基于將所述第一數量的測量數據擬合于受所述跨晶片模型約束的所述目標結構的第二測量模型而確定表征所述目標結構的第二參數值集合；及

存儲所述第二參數值集合。

10.根據權利要求9所述的系統，其中所述確定所述跨晶片模型涉及：依據所述半導體晶片上的位置而產生所述至少一個第一參數的值的參數化模型。

11.根據權利要求9所述的系統，其中所述確定所述跨晶片模型涉及：依據所述半導體晶片上的位置而鏈接所述至少一個第一參數值的值。

12.根據權利要求9所述的系統，其中所述計算系統進一步經配置以：

接收指示所述半導體晶片上的任何位點處的所述第一參數集合的所述至少一個參數的工藝變化的第二數量的測量數據，其中所述確定所述跨晶片模型至少部分基于所述經接收的第二數量的測量數據。

13.根據權利要求9所述的系統，其中所述計算系統進一步經配置以：

基于受所述跨晶片模型約束的所述第一測量模型的變換確定所述目標結構的所述第二測量模型，其中所述第二測量模型包含的參數少于所述第一參數集合所包含的參數。