[發(fā)明專利]等離子體坩堝密封

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380030440.5
• 申請日: 2013-05-03
• 公開（公告）號: CN104395984B
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: A·S·尼特;B·普勒斯頓
• 申請（專利權(quán)）人: 塞拉維申有限公司
• 主分類號: H01J9/395
• 分類號: H01J9/395;H01J9/40;H01J65/04
• 代理公司: 北京泛華偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11280
• 代理人: 王勇,王博

1.一種密封填充的LUWPL的方法，LUWPL適于與周圍的法拉第罩一起使用以在填充的中空中產(chǎn)生微波激發(fā)的等離子體，所述方法包括以下步驟：

·提供僅在一端具有中空開口的透明材料的未密封的LUWPL，所述中空在所述未密封的LUWPL的制造件的一個表面上具有開口端并且朝向其另一表面延伸；

·提供可熔融至所述制造件的透明材料的密封管，所述管的橫截面小于所述制造件的橫截面，

·所述密封管與所述中空對齊并且在開放中空的開口處遠離所述一個表面延伸；

·熔融所述密封管，

·所述密封管直接氣密性密封至與所述中空連通的所述未密封LUWPL的制造件，在密封之后，所述一個表面的剩余部分在徑向上超過所述管；

·通過所述密封管將可激發(fā)材料加入所述中空中；

·通過所述密封管將所述中空排空，所述管被定向為使得所述可激發(fā)材料下降到所述中空的另一表面端；

·加熱所述中空的另一表面端周圍的所述透明材料以從所述可激發(fā)材料驅(qū)除揮發(fā)性雜質(zhì)，所述雜質(zhì)被排出；

·允許所述可激發(fā)材料至少主要在所述中空內(nèi)凝結(jié)；

·通過所述管將惰性氣體導入所述中空中；以及

·通過在所述開口處或所述開口附近密封所述密封管來密封所述中空，以包封所述可激發(fā)材料和所述惰性氣體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述密封管是：

·熔融在所述未密封的LUWPL的制造件上的管，或者

·所述制造件的組成部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，密封所述中空的步驟包括制造所述密封管的與所述一個表面齊平或者超過所述一個表面的端頭以提供冷卻點。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，提供透明材料的所述未密封的LUWPL的步驟包括：

·通過模制和燒結(jié)來制造等離子體坩堝，其中從所述等離子體坩堝的一個表面模制出所述中空。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，提供所述透明材料的未密封的LUWPL的步驟包括：

·從一塊石英形成，包括從其一個表面在其中加工所述中空。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，加熱所述中空的另一表面端周圍的所述透明材料以驅(qū)除揮發(fā)性雜質(zhì)的步驟包括加熱外殼和/或鄰近所述外殼的另一表面，其中可激發(fā)材料停留在所述中空內(nèi)的所述外殼上。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中：

·所述密封管被定位和熔融在所述透明等離子體坩堝的所述一個表面上，或者

·所述密封管被定位和熔融在所述中空的開口處所述透明等離子體坩堝的一個表面的擴孔中。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，提供所述透明材料的未密封的LUWPL的步驟包括：

·制造固態(tài)介電透明材料的未密封的LEX制造件，并且當實現(xiàn)所述中空的至少一個外殼時包含密封電磁波可激發(fā)的等離子體材料和圍繞所述中空的環(huán)壁腔，所述制造步驟包括：

·提供所述密封管作為從其形成所述中空的管，

·密封所述管的一端以形成所述中空的一端，

·使所述管通過所述腔的壁并且將所述管熔融至所述腔的壁。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，另外的腔壁部分包括所述管所通過的平面前壁、從所述前壁向后延伸的管狀壁、和與所述前壁分離的后壁，管狀壁從所述后壁向后延伸以提供所述制造件的使用中圍繞固態(tài)介電塊的裙部，其中：

·使所述管穿過所述腔的壁并且將所述管熔融至所述腔的壁的步驟包括使所述管朝向所述后壁穿過所述前壁，其中與所述中空的密封的一端之間有間隙，或者使所述密封的一端熔融至所述后壁中，以及

·加熱所述中空的另一表面端周圍的所述透明材料以從所述可激發(fā)材料中驅(qū)除揮發(fā)性雜質(zhì)的步驟通過以下實施：在所提供的裙部內(nèi)，對所述后壁進行加熱。